這是“常斷”的一種FET，即在0柵偏壓時是不導電的器件，也就是只有當柵極電壓的大小大於其閾值電壓時才能出現導電溝道的場效應電晶體。相反的是所謂耗盡型場效應電晶體，即在0柵偏壓時就能夠導電的器件。
基本介紹
- 中文名：增強型場效應電晶體
- 外文名：Enhancement type FET
- 有：長溝道和短溝道兩種不同的結構
- 較窄：增強型的原始溝道
增強型場效應電晶體（Enhancement type FET）：
一般，MOSFET既有增強型的、也有耗盡型的器件。而結型場效應電晶體（JFET）通常只有耗盡型場效應電晶體。
增強的結型場效應電晶體（E-JFET）有長溝道和短溝道兩種不同的結構。長溝道E-JFET與長溝道耗盡的結型場效應電晶體（D-JFET）的不同點就在於：增強型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在柵電壓為0時溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓 (必須小於0.5V) 時才產生溝道而導電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。長溝道E-JFET通常不採用，但在高速和低功耗場合也有一定的用處。短溝道E-JFET 實際上也就是靜電感應電晶體（SIT），它的原始溝道既窄又短，在柵電壓為0時溝道即被耗盡，並且再在柵極上加有一定的反向偏壓，使溝道形成了電子的勢壘，通過改變Vds和Vgs可以控制此勢壘的高低，從而可控制輸出電流。
