半扭折帶發明揭示了一種扭折抑制技術，採用該技術分散式反饋雷射二極體的諧振腔的光學特徵受到控制，以便優先防止高階橫向模的形成。這導致扭折功率的提高並因此導致有用的器件功率範圍。
半扭折帶分類命名；（2）參觀蛇紋石化純橄岩和輝石岩，了解超鎂鐵岩常見的次生變化特徵；（3）通過對比，掌握不同成因超鎂鐵岩的區別。
扭折滑動：當晶體受到圍限較強時，晶內滑移的滑移面會發生突然扭曲，這種扭曲成為扭折，這種扭曲通常發生在一個帶內，稱為扭折帶。
半扭折帶分類命名；（2）參觀蛇紋石化純橄岩和輝石岩，了解超鎂鐵岩常見的次生變化特徵；（3）通過對比，掌握不同成因超鎂鐵岩的區別。
這項發明揭示了一種扭折抑制技術，採用該技術分散式反饋雷射二極體的諧振腔的光學特徵受到控制，以便優先防止高階橫向模的形成。這導致扭折功率的提高並因此導致有用的器件功率範圍。具體地說，光學層（優選矽或鈦）被沿著光軸安排在脊兩側經過蝕刻的上覆層上。
主權項
權利要求書1．一種半導體雷射器件，包括：活性層；夾著所述活性層的上覆層和下覆層；在上覆層上形成的脊，它按照光軸方向延伸；沿著光軸方向定位在所述器件相對的兩端並且定義諧振腔的刻面；沿著光軸安排並且相對諸覆層取向，以便減少扭折功率對諧振腔特性的依賴性的扭折抑制層。
扭折滑動：當晶體受到圍限較強時，晶內滑移的滑移面會發生突然扭曲，這種扭曲成為扭折，這種扭曲通常發生在一個帶內，稱為扭折帶。
半扭折帶分類命名；（2）參觀蛇紋石化純橄岩和輝石岩，了解超鎂鐵岩常見的次生變化特徵；（3）通過對比，掌握不同成因超鎂鐵岩的區別。
這項發明揭示了一種扭折抑制技術，採用該技術分散式反饋雷射二極體的諧振腔的光學特徵受到控制，以便優先防止高階橫向模的形成。這導致扭折功率的提高並因此導致有用的器件功率範圍。具體地說，光學層（優選矽或鈦）被沿著光軸安排在脊兩側經過蝕刻的上覆層上。
主權項
權利要求書1．一種半導體雷射器件，包括：活性層；夾著所述活性層的上覆層和下覆層；在上覆層上形成的脊，它按照光軸方向延伸；沿著光軸方向定位在所述器件相對的兩端並且定義諧振腔的刻面；沿著光軸安排並且相對諸覆層取向，以便減少扭折功率對諧振腔特性的依賴性的扭折抑制層。
