《半導體器件導論》是(美)尼曼編著的一本圖書。該書儘量保持了原書的主要優點，(1)注重基本概念和方法。《半導體器件導論》(影印版)從內容的整體編排到具體章節的敘述，都體現了突出物理概念、強調基本分析方法的指導思想。書中的數學推導和物理分析融為一體，得出的結論不僅對理解物理概念十分重要，而且經得起反覆推敲。書中還採用了大量非常清晰的插圖，幫助讀者更好地理解基本概念。(2)可讀性強，便於自學。全書脈絡清楚，說理透徹，易於讀者理解和掌握。每一章的開頭都有引言，告訴讀者可以從本章學到什麼，應該掌握什麼；每一章中都有例題和讀者自測題；每一章的最後還有總結、複習提綱和大量習題(其中包含一些採用計算機進行模擬計算的練習題)。通過舉例和練習加深讀者對基本概念的理解是《半導體器件導論》(影印版)突出的特點。
基本介紹
- 書名：半導體器件導論
- 作者：(美)尼曼
- ISBN：9787302124511
- 頁數：670
- 定價：69
- 出版社：清華大學出版社
- 出版時間：2006年3月1日
- 裝幀：平裝
- 開本：16開
圖書信息,目錄,
圖書信息
出版社: 清華大學出版社; 第1版 (2006年3月1日)
叢書名: 國外大學優秀教材微電子類系列
平裝: 670頁
開本: 16開
ISBN: 7302124515
條形碼: 9787302124511
尺寸: 23.1 x 18.5 x 2.7 cm
重量: 558 g
目錄
Preface xvii
CHAPTER 1
The Crystal Structure of Solids
1.0 Preview 1
1.1 Semiconductor Materials 2
1.2 Types of Solids 3
1.3 Space Lattices 4
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
1.3.2 Basic Crystal Structures 6
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
1.3.4 The Diamond Structure 13
1.4 Atomic Bonding 15
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
1.5.1 Imperfections in Solids 17
1.5.2 Impurities in Solids 18
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
1.6.1 Growth from a Melt 20
1.6.2 Epitaxial Growth 22
1.7 Device Fabrication Techniques:
Oxidation 23
1.8 Summary 25
Problems 27
CHAPTER 2
Theory of Solids 31
2.0 Preview 31
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
2.1.1 Energy Quanta 32
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
2.2.2 The One-Electron Atom 37
2.2.3 Periodic Table 40
2.3 Energy-Band Theory 41
2.3.1 Formation of Energy Bands 41
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
2.3.4 Effective Mass 49
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
2.3.6 The k-Space Diagram 52
2,4 Density of States Function 55
2.5 Statistical Mechanics 57
2.5.1 Statistical Laws 57
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
and the Fermi Energy 58
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
2.6 Summary 64
Problems 65
CHAPTER 3
The Semiconductor in Equilibrium 70
3.0 Preview 70
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
3.1.2 The no and Po Equations 74
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
3.2.1 Qualitative Description 83
3.2.2 Ionization Energy 86
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
……
