劉金智潔

劉金智潔

劉金智潔(Tsu-Jae King Liu),1963年出生於美國紐約伊薩卡,電氣電子工程師學會會士,美國國家工程院院士,美國國家發明家科學院院士,中國台灣“中央研究院”院士,美國國家工程院院長,加利福尼亞大學伯克利分校工學院院長、Roy W. Carlson工程學傑出教授。

劉金智潔於1984年、1986年先後獲得史丹福大學學士學位和碩士學位;1992年—1996年任帕羅奧多研究中心研究人員;1994年獲得史丹福大學博士學位;1996年任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系助理教授;1999年晉升為副教授;2003年7月晉升為教授;2008年7月—2012年6月任加利福尼亞大學伯克利分校工學院研究副院長;2012年7月—2014年6月任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系副主任;2014年7月—2016年6月任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系主任;2016年10月—2018年6月任加利福尼亞大學伯克利分校副校長;2018年7月任加利福尼亞大學伯克利分校工學院院長;2025年7月任美國國家工程院院長。

劉金智潔主要從事用於計算和存儲的積體電路的先進材料、製造工藝和器件的研究。2000年,獲得美國國防部高級研究計畫局重大技術成就獎。

基本介紹

  • 中文名:劉金智潔
  • 外文名:Tsu-Jae King Liu
  • 國籍:美國
  • 出生地:美國紐約伊薩卡 
  • 出生日期:1963年
  • 畢業院校:史丹福大學
  • 主要成就:2007年當選電氣電子工程師學會會士
    2017年當選美國國家工程院院士
    2018年當選美國國家發明家科學院院士
    2024年當選中國台灣“中央研究院”院士
  • 職務:教育科研工作者
  • 性別:女
  • 學歷:研究生
  • 學位:博士
人物經歷,主要成就,科研成就,教育成就,主要作品,榮譽獎項,社會生活,社會活動,社會任職,人物評價,

人物經歷

1963年,劉金智潔出生於美國紐約伊薩卡,在舊金山灣區長大。
1984年,獲得史丹福大學電氣工程學士學位。
1986年,獲得史丹福大學電氣工程碩士學位。
1992年4月—1996年7月,任帕羅奧多研究中心研究人員。
1994年,獲得史丹福大學電氣工程博士學位。
1996年—1999年,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系助理教授。
1999年—2003年,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系副教授。
2000年5月—2004年10月,任美國進步科技有限公司(PROGRESSANT TECHNOLOGIES, INC.)創始人兼總裁。
2003年7月—2004年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系研究生事務副主席。
2003年7月—2016年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系教授。
2004年11月—2006年6月,任美國新思科技(SYNOPSYS,INC.)高級工程總監。
2006年8月—2008年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校微製造實驗室教員主任。
2008年7月—2012年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校工學院研究副院長。
2012年7月—2014年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系副主任。
2014年7月—2016年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系主任。
2016年7月,任加利福尼亞大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系傑出教授;同年加入英特爾董事會,任獨立董事。
2016年10月—2018年6月,任加利福尼亞大學伯克利分校副校長。
2018年7月1日,任加利福尼亞大學伯克利分校工學院院長。
2019年,入選矽谷工程名人堂。
2024年9月,被提名為下一任美國國家工程院院長唯一候選人。
2025年3月,英特爾在提交給美國證券交易委員會(SEC)的一份檔案中披露,劉金智潔將從英特爾董事會退休,且不會在年度股東大會上競選連任;同年5月,被任命為美國國家工程院院長。
劉金智潔

主要成就

科研成就

  • 科研綜述
在攻讀博士學位期間,劉金智潔從事多晶矽薄膜電晶體的研究,這項技術用於高清平板顯示器和成像套用。劉金智潔的研究成果中最引人注目的是她與加利福尼亞大學伯克利分校工程學教授胡正明和傑弗里·博科爾合作發明了一種鰭式場效應電晶體(FinFET),其物理尺寸可以縮小到25納米以下。
  • 專利成果
截至2025年5月,劉金智潔擁有近100項積體電路器件與技術方面的專利。
劉金智潔獲得授權的部分專利
專利名稱
專利號
授權時間
Low Temperature Germanium-Silicon on Insulator Thin-Film Transistor
U.S. Patent 5250818
1993年10月
Field effect transistor pull-up/load element
U.S. Patent 6724024
2004年4月20日
Negative differential resistance (NDR) memory device with reduced soft error rate
U.S. Patent 6853035
2005年2月8日
Methods of testing/stressing a charge trapping device
U.S. Patent 7060524
2006年6月13日
Segmented channel MOS transistor
U.S. Patent 7247887
2007年7月24日
Negative differential resistance pull up element for DRAM
U.S. Patent 7995380
2011年8月9日
DRAM cell utilizing a doubly gated vertical channel
U.S. Patent 8686497
2014年4月1日
Integrated circuit on corrugated substrate
U.S. Patent 8786057
2014年7月22日
Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods
U.S. Patent 10084045
2018年9月25日
Enhanced patterning of integrated circuit layer by tilted ion implantation
U.S. Patent 10347501
2019年7月9日
  • 科研成果獎勵
2000年,劉金智潔因發明“FinFET”獲得美國國防部高級研究計畫局重大技術成就獎。

教育成就

  • 指導學生
截至2022年6月,劉金智潔指導或聯合指導了59篇博士研究生論文和6篇碩士研究生論文;指導博士後研究人員12名。
  • 講授課程
課程名稱
授課學期
平板顯示技術(Flat-Panel Display Technologies)
1999年春季學期
微製造技術(Microfabrication Technology)
1999年秋季學期
微電子電路導論(Introduction to Microelectronic Circuits)
2003年秋季學期
微電子元件與電路(Microelectronic Devices and Circuits)
2008年秋季學期
積體電路器件(Integrated Circuit Devices)
2013年秋季學期
電氣工程教學技術(Teaching Techniques for Electrical Engineering)
2016年春季學期

主要作品

  • 學術論著
截至2025年5月,劉金智潔與他人合著了500多篇出版物。
劉金智潔發表的部分學術論文
時間
論文名稱
期刊名稱
2002年
Design and fabrication of 50-nm thin-body p-MOSFETs with a SiGe heterostructure channel
IEEE Transactions on Electron Devices
2007年
Selective enhancement of SiO2 etch rate by Ar ion implantation for improved etch depth control
Electrochemical and Solid-State Letters
2008年5月
Tri-gate bulk MOSFET design for CMOS scaling to the end of the roadmap
IEEE Electron Device Letters
2010年12月
Mechanical Computing Redux: Relays for Integrated Circit Applications
Proceedings of the IEEE
2012年6月
Characterization of Contact Resistance Stability in MEM Relays With Tungsten Electrodes
Journal of Microelectromechanical Systems
2015年8月
Effect of Body Biasing on the Energy-Delay Performance of Logic Relays
IEEE Electron Device Letters
2021年
Design optimization of sub-5nm node nanosheet FETs to minimize self-heating effects
Journal of Vacuum Science and Technology B
2022年
Breakdown and healing of tungsten-oxide films on microelectromechanical relay contacts
Journal of Microelectromechanical Systems
2023年
Highly reliable and secure PUF using resistive memory integrated into a 28nm CMOS process
IEEE Transactions on Electron Devices
劉金智潔發表的部分學術專著
時間
專著名稱
1997年
《Active Matrix Liquid Crystal Displays: Technology and Applications》
2003年
《CMOS Front-End Materials and Process Technology》
2005年
《Materials and Processes for Nonvolatile Memories》
2015年
《CMOS and Beyond: Logic Switches for Terascale Integrated Circuits》
2023年
《Materials Innovation: Key to Past and Future Transistor Scaling》

榮譽獎項

時間
榮譽表彰
1998年
美國國家科學基金會職業獎
2007年
電氣電子工程師學會會士(IEEE Fellow)
2010年
加利福尼亞大學伯克利分校傑出教師指導獎
2012年
英特爾納米技術傑出研究員獎
2014年
半導體行業協會(SIA)傑出研究員獎
2016年
美國半導體研究公司(SRC)亞里士多德獎
2017年
美國國家工程院院士
2018年
美國國家發明家科學院院士
2020年
田長霖教育領袖獎(Chang-Lin Tien Leadership in Education Award)
2021年
IEEE電子設備學會教育獎
2024年
IEEE創始人獎章
2024年
中國台灣“中央研究院”院士

社會生活

社會活動

截至2024年1月,劉金智潔應邀63次在學術會議上發表演講。
2018年5月,劉金智潔應邀到西安電子科技大學交流訪問,作了題為Innovation: Key to the Future of Moore’s Law(創新:摩爾定律未來發展的關鍵)的學術講座,與中國科學院院士郝躍及微電子學院教師進行了學術研討,並在郝躍院士的陪同下,參觀了微電子學院的超淨間實驗室。

社會任職

時間
擔任職務
2016年—2018年
《IEEE Electron Device Letters》主編
2019年
IEEE電子器件學會出版物和產品副主席
2021年3月
邁凌股份有限公司(MaxLinear Inc.)董事會成員
-
IEEE超大規模積體電路國際研討會執行委員
-
美國國家標準與技術研究院(NIST)工業諮詢委員會委員
-
美國國家科學基金會工程諮詢委員會委員

人物評價

劉金智潔在擔任領導的角色上有卓越表現,是她致力教學、研究與創新的明證,她同時擴大了女性和少數族裔接受工程教育的機會。(時任加利福尼亞大學伯克利分校校長Carol Christ評)
劉金智潔在學術界、工業界和其研究領域都有著卓越的職業生涯,因其對半導體技術的開創性貢獻而享譽國際(With a remarkable career spanning academia, industry, and research, she is internationally recognized for her pioneering contributions to semiconductor technology.)。(美國國家工程院評)

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