基本介紹
- 中文名：劉興釗
- 國籍：中國
- 出生日期：1966年3月
- 職業：教師
- 畢業院校：武漢大學
- 主要成就：2003年度，國家技術發明二等獎（排名第二）
教育背景,工作經歷,學術兼職,研究領域,榮譽及獎勵,代表性論文,
教育背景
1995.02 - 2000.03，電子科技大學信息材料工程學院材料物理與化學專業，博士研究生，獲工學博士學位。
1989.07 - 1992.07，中科院固體物理研究所凝聚態物理專業，碩士研究生，獲理學碩士學位。
1985.09 - 1989.07，武漢大學物理系，本科，獲理學學士學位。
工作經歷
2004.08－今，電子科技大學微電子與固體電子學院，教授。
2000.08 -2004.07，電子科技大學微電子與固體電子學院，副教授；
1997.08 - 1998.07，德國Karsruhe研究中心（FZK）,客座研究人員；
1994.07 - 2000. 07，電子科技大學信息材料工程學院，講師；
1992.08 - 1994.07，電子科技大學信息材料工程學院，助教；
學術兼職
2013.03 - 今，中國電子學會電子材料學分會第七屆委員會委員。
研究領域
目前的重點研究方向為：新興半導體材料及器件，包括：
1、二維化合物半導體材料及電晶體研究 —— 針對未來積體電路發展對新材料的需求，開展晶圓級
二維化合物半導體材料製備技術研究，並探索其在電晶體及積體電路中套用的可行性。
2、寬禁帶半導體材料及紫外探測器研究 —— 針對大型配電設施對電路短路的早期預警需要，開展
新興寬禁帶半導體材料製備、紫外探測器研製及其與信號處理電路的集成等研究。
3、窄禁帶半導體材料及紅外探測器研究 —— 針對火災報警需要，開展新興窄禁帶半導體材料製備、
異質結設計、紅外探測器研製及其與信號處理電路的集成等研究。
註：
（1）、對於有志於這些方面研究的同學，最好能來我辦公室當面交流，這樣彼此都能有個較深入的 認識
和了解，辦公室位於：電子科技大學沙河校區微固樓226（最好先郵件預約）。
（2）、歡迎同樣從事這些方面研究的同行及朋友多多聯繫。
榮譽及獎勵
2003年度，國家技術發明二等獎（排名第二）；
2002年度，國防科學技術一等獎（排名第二）；
2005年度，教育部技術發明一等獎（排名第三）；
代表性論文
發表及合作發表刊物論文90餘篇，近期的代表性論文如下：
(1). Li-jun He, Chuan Li,Xing-zhao Liu*, The electrical and morphological properties of magnesium moxide/alumina bilayered thin films prepared by electron beam evaporation at oblique incidence，Appl. Surf. Sci.292 (2014) 665– 669
(2).Xingzhao Liu*, Chao Chen, Jun Zhu, Wanli Zhang, and Yanrong Li,The modulation effects of charged dielectric thin films on two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure,J. Appl. Phys. 114 (2013) 027003
(3). Bingzhang Chen, Futong Chu,Xingzhao Liu, Yanrong Li, Jian Rong, Huabei Jiang,AlN-based piezoelectric micromachined ultrasonic transducer for photoacoustic imaging,Appl. Phys. Lett.103 (2013) 031118
(4). Li-jun He, ChuanLi,Xing-zhaoLiu*,The optical properties of alumina films prepared by electron beam evaporation at oblique incidence, Materials Letters101 (2013) 1–4
(5). Chao Chen,Xingzhao Liu*,Jihua Zhang, Benlang Tian, Hongchuan Jiang, Wanli Zhang, Yanrong Li,Threshold voltage modulation mechanism of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors with Fluorinated Al2O3 as Gate Dielectrics,Appl. Phys. Lett.100 (2012) 133507
(6). Chao Chen,Xingzhao Liu*, Benlang Tian, Ping Shu, Yuanfu Chen, Wanli Zhang, Hongchuan Jiang, Yanrong Li,Fabrication of Enhancement-Mode AlGaN/GaN MISHEMTs by using Fluorinated Al2O3 as Gate Dielectrics.IEEE Electron Device Letters32 (2011) 1373-1375
(7). Y. F. Chen,X. Z. Liu*, X. W. Deng, Y. R. Li,Homoepitaxial 6H-SiC thin films by vapor-liquid-solid mechanism.Thin Solid Films519 (2011) 5358-5363
(8).Benlang Tian, Chao Chen, Jihua Zhang, Yanrong Li, Yuanfu Chen,Xingzhao Liu*, Jianjun Zhou, Liang Li, Chen Chen,Structure and electrical characteristics of AlGaN/GaN MISHFETs with Al2O3 thin film as both surface passivation and gate dielectric,Semicondu. Sci. Technol.26 (2011) 085023
(9). C. J. Zhang, Y. F. Chen, Z. G. Wang, B. L. Tian, C. Chen, X. W. Deng, M. Liu, Y. Zhang,X. Z. Liu,Y. R. Li,Growth and structure of MBE-grown PbTiO3 epilayers by using RF atomic oxygen source,J. Crystal Growth312 (2010) 382-385
(10).Y.F.Chen,X.Z.Liu*, X.W.Deng,Y.R.Li,Characterization of 3C-SiC micro-pillars on Si(100) substrate grown by vapor-liquid-solid process, Thin Solid Films, 517 (2009) 2882
