劉興昉

劉興昉

劉興昉，男，博士，副研究員，碩士生導師。

1999年畢業於中南大學材料系，獲工學學士學位，2004年畢業於中南大學粉冶所，獲工學碩士學位，2007年畢業於中國科學院半導體研究所，獲工學博士學位。多年來一直從事碳化矽半導體的研究，工作內容包括碳化矽生長設備研製、碳化矽外延材料生長、材料表征、物理性能及相關器件研究，主持多項課題研究工作，獲得北京市產品質量創新成果獎一項，在國內外學術期刊上發表研究論文40餘篇，獲得國家授權專利8項。

基本介紹

簡歷,主要研究領域及方向,主持課題研究,參與課題研究,代表性論文,發表專利,

簡歷

1999年畢業於中南大學材料系，獲工學學士學位，
2004年畢業於中南大學粉冶所，獲工學碩士學位，
2007年畢業於中國科學院半導體研究所，獲工學博士學位。

主要研究領域及方向

碳化矽半導體、石墨烯及相關設備研究開發。

主持課題研究

  1. 4H/3C/6H碳化矽納米多型體的自旋量子態裁剪及特性研究，國家自然科學基金，2016.1-2019.12
  2. SiCIGBT外延缺陷轉化機理及控制技術研究，國家重點專項子課題，2018.7-2021.6
  3. 4H碳化矽PNPN自支撐複合膜的HTCVD生長研究，國家自然科學基金，2013.1-2016.12
  4. 用於電力電子器件的碳化矽外延生長研究，北京市自然科學基金，2013.1-2015.12
  5. 國產6英寸碳化矽外延材料製備技術研究，北京市科技計畫，2016.1-2017.12
  6. 外延石墨烯的製備及其在納電子學中的套用研究，中國科學院知識創新工程青年人才領域前沿項目，2008.10-2010.11
  7. 先進功率半導體材料與器件研究，企業攻關項目，2010.5-2012.6

參與課題研究

  1. 基於6英寸碳化矽襯底的厚膜外延技術研究，國家重點專項課題，2016.7-2021.6
  2. 分散式智慧型電網關鍵技術研究，中國科學院知識創新工程，2009.10-2012.9
  3. 半絕緣碳化矽基外延材料及功率器件研究，北京市科委項目，2009.7-2010.8
  4. 大面積/多片高溫碳化矽化學氣相沉積系統，中國科學院重大科研裝備項目，2007.10-2009.9

代表性論文

  1. Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Chen,J.;He,Y.W.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Guan,M.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.Homoepitaxialgrowthofmultiple4H-SiCwafersassembledinasimpleholderviaconventionalchemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth2019,507,283-287.
  2. Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Liu,B.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Chen,J.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.Processoptimizationforhomoepitaxialgrowthofthick4H-SiCfilmsviahydrogenchloridechemicalvapordeposition.JournalofCrystalGrowth2018,504,7-12.
  3. Liu,X.F.*;Yan,G.G.;Shen,Z.W.;Wen,Z.X.;Tian,L.X.;Zhao,W.S.;Wang,L.;Guan,M.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.AFacileMethodforHeteroepitaxialGrowthofHomogeneous3C-SiCThinFilmsonBothSurfacesofSuspendedSiWaferbyConventionalChemicalVaporDeposition.ECSJournalofSolidStateScienceandTechnology2017,6,P27-P31.
  4. Liu,X.F.*;Chen,Y.;Sun,C.Z.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Sun,G.S.;Zeng,Y.P.SurfaceEvolutionofNano-Textured4H-SiCHomoepitaxialLayersafterHighTemperatureTreatments:MorphologyCharacterizationandGrapheneGrowth.Nanomaterials2015,5,1532-1543.
  5. Liu,X.F.*;Sun,G.S.;Liu,B.;Yan,G.G.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Chen,Y.;Dong,L.;Zheng,L.;Liu,S.B.;Tian,L.X.;Wang,L.;Zhao,W.S.;Zeng,Y.P.GrowthofHexagonalColumnarNanograinStructuredSiCThinFilmsonSiliconSubstrateswithGraphene-GraphiticCarbonNanoflakesTemplatesfromSolidCarbonSources.Materials2013,6,1543-1553.
  6. Liu,X.-F.*;Sun,G.-S.;Liu,B.;Yan,G.-G.;Guan,M.;Zhang,Y.;Zhang,F.;Dong,L.;Zheng,L.;Liu,S.-B.;Tian,L.-X.;Wang,L.;Zhao,W.-S.;Zeng,Y.-P.SurfacesaturationcontrolontheformationofwurtzitepolytypesinzincblendeSiCnanofilmsgrownonSi-(100)substrates.ChinesePhysicsB2013,22,086802.
  7. Liu,B.;Sun,G.-S.;Liu,X.-F.*;Zhang,F.;Dong,L.;Zheng,L.;Yan,G.-G.;Liu,S.-B.;Zhao,W.-S.;Wang,L.;Zeng,Y.-P.;Li,X.-G.;Wang,Z.-G.;Yang,F.FastHomoepitaxialGrowthof4H-SiCFilmson4degreesoff-AxisSubstratesinaSiH4-C2H4-H2System.ChinesePhysicsLetters2013,30,128101.

發表專利

  1. 劉興昉，劉斌，等，一種在零偏角襯底上外延碳化矽的方法，專利號：201510490653.7，授權日期：2018.04.20
  2. 劉興昉，劉斌，等，碳化矽外延層區域摻雜的方法，發明，專利號：201510490656.0，授權日期：2017.10.24
  3. 劉興昉，劉斌，等，用於碳化矽生長的高溫裝置及方法，發明，專利號：201510008972.X，授權日期：2017.10.27
  4. 劉興昉，劉斌，等，一種碳化矽薄膜生長設備及其生長方法，發明，專利號：201310315012，授權日期：2016.03.02
  5. 劉興昉，鄭柳，等，連續型HTCVD法碳化矽晶體生長裝置，發明，專利號：201110267894.7，授權日期：2013.09.18
  6. 劉興昉，董林，等，HTCVD法碳化矽晶體生長裝置，發明，專利號：201110264570.8，授權日期：2013.06.12
  7. 劉興昉，孫國勝，等，用於MEMS器件的大面積3C-SiC薄膜的製備方法，發明，專利號：200610126999，授權日期：2009.07.15

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