俄歇衰變是指受激原子通過發射電子而發生無輻射退激發的過程。俄歇衰變也叫俄歇躍遷。以在1925年最先觀測到此種電子的法國物理學家Pierre Auger命名。
基本介紹
- 中文名：俄歇衰變
- 外文名：Auger decay
- 學科：材料工程
- 領域：工程技術
定義,別稱,簡介,電子能級,決定因素,
定義
俄歇衰變是指受激原子通過發射電子而發生無輻射退激發的過程。
別稱
俄歇衰變也叫俄歇躍遷。以在1925年最先觀測到此種電子的法國物理學家Pierre Auger命名。
簡介
俄歇衰變是表面分析方法之一的俄歇電子能譜法的基礎。原子在X射線、高能電子或質子的照射下，內層電子受激電離而留下空穴。當較外層電子躍遷入此空位時，多餘能量可通過兩種方式釋放，或發射X射線(輻射躍遷)，或將能量轉移給第三電子，即發射俄歇電子(無輻射躍遷)。
電子能級
俄歇躍遷牽涉到三個電子能級：空穴能級、填入空穴的電子能級及俄歇電子發射前所在能級，須用三個符號描述。例如：KLL,LMM或LVV. K,L,M......分別對應於n=1.2.3........的主殼層，V代表價電子能帶。上述符號同樣用來描述俄歇電子。俄歇電子的能量 Eαβγ,可由躍遷前後的能級差決定。
決定因素
俄歇躍遷的幾率(或俄歇電子數)決定於下降的電子與俄歇電子間的相互作用勢，始態與終態的波函式對於一定的電離殼層，俄歇躍遷幾率大致與Z無關，而輻射躍遷幾率則隨Z增加而迅速增加，因此低原子序數元素中俄歇躍遷占主導，俄歇能譜適於分析較輕元素。
