SPW47N60C3

SPW47N60C3是一款大功率場效應電晶體(MOSFET)，採用TO-247封裝形式，漏源電壓額定值為650V，連續漏極電流可達47A（@25℃），導通電阻低至0.07Ω（@10V）。該器件屬於CoolMOS系列產品，柵極電荷為320nC，最大功率耗散達415W，適用於高頻開關電源及功率轉換電路設計。

基本介紹

• 漏源電壓：650V
• 漏極電流：47A
• 封裝形式：TO-247
• 導通電阻：0.07Ω
• 工作溫度：-55°C~150°C
• 系列：CoolMOS
• 功率：415W

技術參數

• 電壓特性：漏源擊穿電壓(Vdss)650V，柵源極限電壓±30V，柵極閾值電壓典型值3.9V（@2.7mA測試條件）。
• 電流能力：25℃環境溫度下連續漏極電流47A，脈衝電流可達188A，反向恢復時間165ns。
• 動態特性：輸入電容(Ciss)6800pF，輸出電容(Coss)980pF，反向傳輸電容(Crss)110pF（@25V測試電壓）。

封裝特性

採用TO-247-3直插式封裝，引腳間距5.45mm，封裝體積39.6mm×15.9mm。內部採用銅引線框架與焊盤直接鍵合工藝，提升散熱效率，穩態熱阻(RthJC)0.5℃/W。封裝材料符合UL94 V-0阻燃等級標準。

套用領域

• 工業設備：在電機驅動控制器中套用，支持380V交流電機負載。
• 汽車電子：集成於功率電子領域，屬於功率三極體分類。

品牌與供應商

該型號主要由英飛凌(INFINEON)設計生產，深圳市天卓微科技有限公司作為授權代理商提供TO-247封裝的正品器件。深圳市深力科電子有限公司、樂星科技等貿易商長期備有現貨庫存。

質量控制

產品通過AEC-Q101車規級可靠性認證，支持100%動態老煉測試與HTRB高加速壽命試驗。供應商承諾假一賠十的原裝正品保障，並提供批次追溯與失效分析服務。

配套方案

可與IHW30N100R、IKW40N120H3等高壓MOSFET組成半橋拓撲，用於三相逆變電路設計。在同步整流套用中，推薦搭配IRF530NPBF、IRF540NPBF等低內阻器件最佳化系統效率。

SPW47N60C3的圖片