PAMiD

PAMiD是集成雙工器的功放模組，屬於射頻前端的高集成度核心器件。在5G時代，為節省手機內部空間，中低頻段射頻前端主要採用PAMiD或其集成了低噪聲放大器（LNA）的L-PAMiD形式存在，其技術複雜度極高。

該領域曾長期由思佳訊、高通、博通、QORVO等國際廠商主導。2023年，唯捷創芯和昂瑞微開發的L-PAMiD晶片進入量產，實現了國產5G L-PAMiD晶片的突破。隨後，卓勝微於2024年二季度推出全國產供應鏈的L-PAMiD產品。2025年，唯捷創芯第二代L-PAMiD模組獲得國內品牌旗艦機型訂單。2026年，開元通信發布了全球首款支持衛星/地面雙模的PAMiD產品。

基本介紹

• 中文名：功率放大器模組集成雙工器
• 外文名：PAMiD

技術原理與定義

PAMiD是集成雙工器的功放模組。L-PAMiD（LNA-Power Amplifier Module integrated Duplexer）是集成了低噪聲放大器（LNA）的射頻前端模組。

PAMiD/L-PAMiD模組集成了功率放大器（PA）、濾波器、雙工器/多工器、射頻開關等多種器件。其中，L-PAMiD是射頻前端中集成度最高、設計難度最大、封裝工藝最複雜的模組。

PAMiD/L-PAMiD模組支持多模多頻通信，如2G、3G、4G和5G NR，並支持載波聚合（CA）以提升數據傳輸速率。

相較於分立方案或FEMiD（集成射頻開關、濾波器和雙工器），PAMiD通過高集成度將複雜的射頻前端系統封裝於單一模組中，能顯著節省手機PCB布局面積，並將PA的輸出匹配等複雜設計工作交由器件供應商完成，從而降低了終端廠商的射頻前端設計難度和研發周期。

發展歷程

射頻前端經歷了從分立器件到FEMiD（集成射頻開關、濾波器和雙工器），再到PAMiD（集成多模式多頻帶PA和FEMiD）的演變，整個射頻前端的集成化趨勢愈加明顯。根據集成方式的不同，手機主集天線射頻鏈路可分為FEMiD、PAMiD和L-PAMiD（LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD）。PAMiD正成為5G手機射頻前端模組設計的下一個風向標，中低頻段5G射頻前端主要以PAMID/L-PAMID形式存在，在5G技術的助推下，射頻前端模組也在進行著新一輪的技術革新。

2020年左右，PAMiD/L-PAMiD高端市場主要由思佳訊（Skyworks）、高通（Qualcomm）、Qorvo等國際廠商主導。國外巨頭思佳訊、高通、博通、QORVO等公司早在2021年前就量產了5G L-PAMiD模組。相比之下，國內幾家領先的射頻公司也才剛起步研發和小量試產L-PAMiD SiP模組，相比於美國射頻巨頭公司落後了5年以上的時間。行業分析認為，國內市場PAMiD的爆發需等待國內濾波器技術達到國際先進水平，預計仍需數年時間。

2022年11月4日，開元通信推出“鳳凰Sili-ALL”品牌，宣布實現本土首家全自研高集成度(L)-PAMiD模組晶片的突破。其EM9xxx系列L-PAMiD產品填補了國產供應商在Phase7L解決方案上的空白。

2023年，唯捷創芯和昂瑞微等國內廠商開發的5G L-PAMiD晶片進入量產階段，並通過多家品牌客戶驗證，實現了國產射頻前端在該領域“零的突破”。唯捷創芯的L-PAMiD模組產品已通過部分國內品牌手機廠商的驗證，其高集成度模組L-PAMiD產品在第三季度已實現大批量出貨。

2024年，國產L-PAMiD技術進入快速疊代和市場化階段。卓勝微於第二季度推出了業界首次實現全國產供應鏈的L-PAMiD系列產品，並在部分品牌客戶驗證通過。唯捷創芯的L-PAMiD產品（如Phase7LE）已在大多數國內品牌手機中實現量產銷售，並開始推廣新一代產品（如Phase7LE Plus及Phase8L）。

2025年，國產L-PAMiD產品性能持續提升並成功導入高端旗艦機型。唯捷創芯推出的第二代L-PAMiD模組（Phase7LE Plus）在效率、功耗等核心性能上達國際領先水平，可實現對國際大廠方案的直接替代，並已獲得國內品牌客戶的旗艦機型訂單。其Phase7LE+產品率先在聯發科天璣9500旗艦平台完成全面驗證。卓勝微集成自產MAX-SAW高端濾波器的L-PAMiD產品實現規模量產與交付，成功進入榮耀等頭部手機品牌供應鏈。慧智微的Phase8L L-PAMiD高集成模組也實現與國際廠商同時同質量產。L-PAMiD模組產品已在多家品牌客戶完成導入並交付。

進入2026年，國產L-PAMiD技術持續突破並向更前沿套用拓展。卓勝微不同方案的L-PAMiD產品已在多個品牌客戶實現規模量產與交付，例如在榮耀Power2機型中已成功量產交付。開元通信於2026年3月31日推出全球首款支持衛星通信與地面蜂窩雙模工作的PAMiD產品“射頻前線™EM8643EN”，標誌著PAMiD技術開始向衛星物聯網等新興領域延伸。

技術特點與挑戰

PAMiD/L-PAMiD是當前射頻前端領域集成度最高、技術壁壘最顯著的模組產品之一。其技術特點與面臨的挑戰主要體現在高集成度與小型化、核心性能與“隱形指標”、濾波器技術瓶頸、高度定製化開發以及供應鏈整合與可靠性平衡等方面。

高集成度與小型化是PAMiD的顯著特點，通過系統級封裝（SiP）等先進技術，將功率放大器（PA）、濾波器、開關、低噪聲放大器（LNA）等多種器件集成於微型模組中，以實現極致的空間節省。例如，有產品通過先進的雙雙工器技術與系統級封裝技術，將複雜的多頻段射頻功能集成於微型化模組中。

核心性能指標包括功率放大器的效率、功耗和線性度。然而，有行業分析指出，L-PAMiD的真正難點往往不在傳統性能指標，而在於諧波抑制、頻譜泄漏、群延時、隔離度等“隱形指標”，以及如何在封裝可靠性、成本與性能之間找到最佳平衡。這些指標直接決定了模組在實際複雜通信環境下的穩定性和信號質量。

高性能、小型化濾波器的設計與製造是PAMiD模組性能優劣的關鍵，也是國產化突破的核心難點。濾波器技術的性能直接決定了模組的帶外抑制、插損等關鍵參數。國產廠商通過自建產線，形成從濾波器、雙工器到模組集成的全鏈條能力。

由於不同手機平台和客戶的需求差異巨大，L-PAMiD的規格書往往非常複雜，不存在完全標準化的產品，必須針對特定客戶和平台進行深度定製化開發與調試。由於L-PAMiD的規格書多達100多頁，遠非傳統器件可比，不存在標準版本，必須針對客戶需求進行定製化開發。

構建全國產化供應鏈，特別是在高端濾波器等核心器件上實現自主可控，是重大挑戰也是核心競爭力。同時，模組設計必須在封裝可靠性、成本控制與極致性能之間找到最佳平衡點。