《6 英寸碳化矽單晶拋光片》是2018年12月17日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名：6 英寸碳化矽單晶拋光片
- 標準編號：6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers
- 實施日期：2018年12月17日
- 發布日期：2018年12月06日
起草人,起草單位,適用範圍,主要內容,
起草人
陸敏、彭同華、鄭紅軍、佘宗靜、林健、王文軍、劉春俊、閆果果、 鈕應喜、林雪如、陳鵬、劉禕晨、張平、張新河、鈕應喜、陳志霞、張瑾、陳彤
起草單位
中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、北京天科合達半導體股份有 限公司、北京天科合達新材料有限公司、新疆天科合達半導體股份有限公司、中國科學院物 理研究所、北京三平泰克科技有限責任公司、中國科學院半導體研究所、中國電子科技集團 公司第四十六研究所、東莞市天域半導體科技有限公司、全球能源網際網路研究院、瀚天天成 電子科技（廈門）有限公司、中國科學院電工研究所、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
適用範圍
本標準規定了6 英寸4H 及6H 碳化矽單晶拋光片的必要的相關性術語、產品分類、技術要求、試驗方法、檢測規則以及標誌、包裝、運輸、貯存等。 本標準適用於6 英寸4H 及6H 碳化矽單晶研磨片經單面或雙面拋光後製備的碳化矽拋光片。產品作為襯底材料主要用於製作半導體照明、電力電子器件及微波器件。
主要內容
本標準適用於6 英寸4H 及6H 碳化矽單晶研磨片經單面或雙面拋光後製備的碳化矽拋光片。規定了6 英寸4H 及6H 碳化矽單晶拋光片的必要的相關性術語、產品分類、技術要求、試驗方法、檢測規則以及標誌、包裝、運輸、貯存等。本標準規定了碳化矽拋光片的晶向為<0001>碳化矽拋光片表面取向的正交晶向偏離為：（a） 正晶向：0° ± 0.5°; （b） 偏晶向：碳化矽拋光片的晶向偏離為晶片表面法線沿主定位邊方向偏向[1120]方向4°±0.5°或其它角度。同時本標準還規定了表面缺陷、微管密度、結晶質量、電阻率、多型、位錯密度等內容。
