高等模擬積體電路

高等模擬積體電路

《高等模擬積體電路》是2006年清華大學出版社出版的圖書,作者是董在望。本書可作為信息與通信工程電子科學與技術學科相關課程的研究生教材或教學參考書,也可供相關專業的工程技術人員參考。

基本介紹

  • 書名:高等模擬積體電路
  • 作者:董在望
  • ISBN:9787302120704
  • 類別:圖書>教材>研究生/本科/專科教材>工學
  • 頁數:333
  • 定價:35.00 元
  • 出版社清華大學出版社
  • 出版時間:2006-2-1
  • 裝幀:平裝
內容提要,圖書目錄,

內容提要

本書包括CMOS模擬積體電路基礎、新電路技術和主要功能電路三個部分。第一部分主要介紹CMOS模擬積體電路基礎(第1章),並簡單介紹CMOS工藝過程(第7章)。第二部分主要介紹電流模電路(第2章)、抽樣數據電路(第3章)和對數域電路(含在第5章中)的工作原理、性能特點和典型電路。第三部分主要介紹模數與數模轉換器(第4章)、集成模擬濾波器(第5章)和射頻前端電路(第6章)的構成原理和特點以及主要單元電路。
本書重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩定性的新電路技術和在電子系統中占有重要地位的功能電路及其中的新技術。

圖書目錄

1 CMOS模擬積體電路基礎
1.1 MOS器件基礎及器件模型
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
1.1.1 結構及工作原理
1.1.2 襯底調製效應
1.1.3 小信號模型
1.1.4 亞閾區效應
1.1.5 短溝效應
1.1.6 SPICE模型
運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中,通常結合反饋網路共同組成某種功能模組。由於早期套用於模擬計算機中,用以實現數學運算,故得名“運算放大器”,此名稱一直延續至今。運放是一個從功能的角度命名的電路單元,可以由分立的器件實現,也可以實現在半導體晶片當中。隨著半導體技術的發展,如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現今運放的種類繁多,廣泛套用於幾乎所有的行業當中。
1.2.1 共源(CS)放大電路
1.2.2 共漏(CD)放大電路
1.2.3 共柵(CG)放大電路
1.2.4 共源共柵(CS?CG)放大電路
1.3.1 二極體連線的MOS器件
二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode),另外,還有早期的真空電子二極體;它是一種具有單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個PN結兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流轉導性。一般來講,晶體二極體是一個由p型半導體n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場。當外加電壓等於零時,由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態,這也是常態下的二極體特性。
1.3.2 基本鏡像電流源
1.3.3 威爾遜電流源
1.3.4 共源共柵電流源
1.4 運算放大器
1.4.1 運算放大器的主要參數
1.4.2 單級運算放大器
1.4.3 兩級運算放大器
1.4.4 共模反饋(CMFB)
1.4.5 運算放大器的頻率補償
1.5.2 電荷注入與時鐘饋通
1.6.1 工作原理
1.6.2 與CMOS工藝兼容的帶隙基準電壓源
思考題
2 電流模電路
2.1 概述
2.1.1 電流模電路的概念
2.1.2 電流模電路的特點
2.2 基本電流模電路
2.2.1 電流鏡電路
2.2.3 電流模積分器
2.3 電流模功能電路
2.3.2 電流傳輸器
2.4 從電壓電路變換到電流模電路
2.5 電流模電路中的非理想效應
2.5.1 MOSFET之間的失配
2.5.2 寄生電容頻率特性的影響
思考題
3 抽樣數據電路
3.1 開關電容電路和開關電流電路的基本分析方法
3.1.1 開關電容電路的時域分析
3.1.2 開關電流電路的時域分析
3.1.3 抽樣數據電路的頻域分析
3.2 開關電容電路
3.2.1 開關電容單元電路
3.2.2 開關電容電路的特點
3.2.3 非理想因素的影響
3.3 開關電流電路
3.3.1 開關電流單元電路
3.3.2 開關電流電路的特點
3.3.3 非理想因素的影響
思考題
4 A/D轉換器與D/A轉換器
4.1 概述
4.1.1 電子系統中的A/D與D/A轉換
4.1.2 A/D與D/A轉換器的基本原理
4.1.3 A/D與D/A轉換器的性能指標
4.1.4 A/D與D/A轉換器的分類
4.1.5 A/D與D/A轉換器中常用的數碼類型
4.2 高速A/D轉換器
4.2.1 全並行結構A/D轉換器
4.2.2 兩步結構A/D轉換器
4.2.3 插值與摺疊結構A/D轉換器
4.2.4 流水線結構A/D轉換器
4.2.5 交織結構A/D轉換器
4.3 高精度A/D轉換器
4.3.1 逐次逼近型A/D轉換器
4.3.2 雙斜率積分型A/D轉換器
4.3.3 過採樣ΣΔA/D轉換器
4.4 D/A轉換器
4.4.1 電阻型D/A轉換器
4.4.2 電流型D/A轉換器
4.4.3 電容型D/A轉換器
思考題
5 集成濾波器
5.1 引言
5.1.1 濾波器的數學描述
5.1.2 濾波器的頻率特性
5.1.3 濾波器設計的逼近方法
5.2 連續時間濾波器
5.2.1 連續時間濾波器的設計方法
5.2.2 跨導電容(Gm?C)連續時間濾波器
5.2.3 連續時間濾波器的片上自動調節電路
5.3 對數域濾波器
5.3.1 對數域電路概念及其特點
5.3.2 對數域電路基本單元
5.3.3 對數域濾波器
5.4 抽樣數據濾波器
5.4.1 設計方法
5.4.2 SZ域映射
5.4.3 開關電容電路轉換為開關電流電路的方法
思考題
6 收發器與射頻前端電路
6.1 通信系統中的射頻收發器
6.2 集成收信器
6.2.1 外差式接收與鏡像信號
6.2.2 複數信號處理
6.2.3 收信器前端結構
6.3 集成發信器
6.3.1 上變換器
6.3.2 發信器結構
6.4 收發器的技術指標
6.4.1 噪聲性能
6.4.2 靈敏度
6.4.3 失真特性與線性度
6.5 射頻電路設計
6.5.1 電晶體模型與參數
6.5.2 噪聲
6.5.3 集成無源器件
6.5.5 混頻器
6.5.6 頻率綜合器
思考題
7 CMOS積體電路製造工藝及版圖設計
7.1 積體電路製造工藝簡介
7.1.1 單晶生長襯底製備
7.1.2 光刻
7.1.3 氧化
7.1.4 擴散及離子注入
7.1.5 化學氣相澱積(CVD)
7.1.6 接觸與互連
7.2 CMOS工藝流程與積體電路中的元件
7.2.1 矽柵CMOS工藝流程
7.2.2 CMOS積體電路中的無源元件
7.2.3 CMOS積體電路中的寄生效應
7.3 版圖設計
7.3.1 矽柵CMOS積體電路的版圖構成
7.3.2 版圖設計規則
7.3.3 CMOS版圖設計技術
思考題
參考文獻

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