馬佐平

馬佐平，男，美國國籍，微納電子科學家。原籍浙江東陽，1945年11月生於甘肅省蘭州市。美國工程院院士、中科院外籍院士。1974年獲得美國耶魯大學博士學位。現任美國耶魯大學教授、耶魯大學電機系系主任、耶魯大學微電子研究中心共同主任、天津大學名譽教授。

2005年獲世界電子與電機工程學會“安德魯·葛洛夫大獎”，此獎每年只頒發給一名給對計算機科技有卓越貢獻的世界級研究者。2006年獲美國半導體協會“大學研究大獎”，是獲得此獎項的首位華人。

基本介紹

• 中文名：馬佐平
• 外文名：Tso-Ping Ma
• 國籍：美國
• 民族：漢族
• 出生地：中國甘肅省蘭州市
• 出生日期：1945年11月
• 職業：微納電子科學家
• 畢業院校：美國耶魯大學
• 主要成就：MOS柵介質研究
  2005年獲世界電子與電機工程學會“安德魯·葛洛夫大獎” 
  2006年獲美國半導體協會“大學研究大獎” 

主要成就

科研成就

馬佐平對金屬/氧化物/半導體(MOS)的科學認知及技術發展，尤其是在MOS柵介質 (包括高介電常數的柵介質）的科技領域做出重要貢獻。1970年始他在做超薄（～4納米）柵氧化矽研

究中指出隧穿電流對MOS特性的重要影響，發現了輻射效應或熱載子效應所產生的界面陷阱與在界面附近的應變分布有直接的關聯，而據此提出一個“柵誘導的應變分布”模式來解釋實驗的結果，推出在柵氧化矽內摻入極小量的諸如氟、氯或氮等雜質來促成應變的弛豫以降低輻射或熱載子效應的方法。發現了一個在經歷輻照MOS內的界面陷阱的轉型現象，並隨後對此做了系統的研究。他最先提出用氮化矽(Si3N4)做MOS柵介質以取代二氧化矽(SiO2)的概念並首先用實驗證明其可行性，推動了近年引入用更高介電常數的柵介質的理念，進而推展未來的MOS科技。最近Intel、IBM等公司宣布量產High-k Gate Dielectrics的晶片， 正式實踐了馬佐平早期理念。最近，他的研究小組創先使用“非彈性電子隧道譜”（IETS）的方法來探測超薄高介電常數的介質內的微結構、微缺陷及雜質。IETS有望將來被廣泛使用，從而進一步推動MOS柵介質的研究及發展。

馬佐平

人才培養

在耶魯大學培養了大批華裔微電子科技專家，其中40多位中國學生在他指導下獲得博士學位。1993年以來，他幾乎每年都回國，多次到中國航天技術院、中國科學院、清華大學、北京大學、山東大學、天津大學、復旦大學、上海交通大學、廈門大學等科研機構和大學講學。1994年至2000年間，馬佐平研究小組與中科院新疆物理所的輻射效應小組密切合作，促使中科院新疆物理所成為中國的半導體器件的輻射效應中心之一。2002年到2005年，與清華大學共同研發製造先進的快閃記憶體器件，對清華大學快閃記憶體科研的進展有較大的貢獻。2005年，馬佐平與北大微電子學研究院王陽元共同成立了北大-耶魯微納電子合作研究中心，合作研討微電子及納米電子領域的最先進的科學課題。

2010年，馬佐平將與國內同行專家在中國合作主辦第十屆國際固態和積體電路技術會議（ICSICT）。

榮譽表彰

a Harding Bliss Prize from Yale University

GE Whitney Lectureship from General Electric

Yankee Ingenuity Award from the State of Connecticut

BF Goodrich Collegiate Inventor’s Winner’s Advisor Award (twice)

the Paul Rappaport Award from the IEEE Electron Device Society

2003年當選美國國家工程院院士， 為當年獲選的77人中唯一的華裔院士。

2005年獲世界電子與電機工程學會“安德魯.葛洛夫大獎”，此獎每年只頒發給一名給對計算機科技有卓越貢獻的世界級研究者。

2006年獲美國半導體協會“大學研究大獎”

學術論文

在美國及國際主要學術刊物上發表近200篇學術論文：（以下是代表作）

"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics," IEEE Trans. Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).

"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO," Appl. Phys. Lett., 83(13), 2605 (2003).

"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC," X. Wang, T.P. Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec. 5-8 (1999).

"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric," T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998).

馬佐平獲世界電子與電機工程學會葛洛夫獎

2005年8月22日

華聲報訊：據美國《世界日報》報導，“世界電子與電機工程學會”(IEEE)日前宣布，將把今年度的安德魯·葛洛夫獎頒發給現任耶魯大學電機系及微電子中心華裔主任馬佐平教授，以表彰他在研發“互補性氧化金屬半導體”閘介極科技方面的卓越貢獻。

馬佐平8月17日對於獲得該獎表示相當興奮，但他也不忘將這份榮耀與共事研究的耶大電機系研究生分享。馬佐平指出，他的研究團隊共有10位學生，其中除了一名為白人學生外，其它皆為來自大陸或台灣的留學生，他表示這個獎是該團隊共同努力的成果。

馬佐平從1993年開始研究互補性氧化金屬半導體，這個安裝在計算機記憶體內的半導體，主要有三項功能――省電、快速處理和節省成本。他舉例說，一般計算機內的半導體，若希望能加快其處理速度，則需要消耗較多的電能，但他的研究成果則讓未來類似的半導體在高速運算的情形下使用較少的電能，這項科技還可運用在一般生活中，如手機、收音機等家電上，他指出，未來的手機或許可以更精密且耗電量更少。

具有悠久歷史的世界電子與電機工程學會是目前全世界最大的職業科技機構，現有會員約36萬人，來自全世界170個國家，包含了航天、計算機科技、生化等各方面人才，葛洛夫獎是特為紀念英特爾公司創辦人兼董事長葛洛夫而設立，每年只頒發一名給對計算機科技有卓越貢獻的研究者。

研究項目

> Advanced Gate Dielectrics

> Flash Memory Devices

> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs

> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)

> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology

社會任職

耶魯大學電機系講座教授

耶魯大學電機系系主任

耶魯大學微電子研究中心共同主任

北京大學－耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心共同主任

馬佐平院士也是IBM, Intel, HP, 日立, 東芝, 台積電,旺宏電子等國際大公司的高級科技顧問.

馬佐平受聘為福建省信息產業專家委員會委員，福建省政府顧問，蘇州工業園區微電子業首席顧問。

中國科學院名譽教授

清華大學，天津大學，山東大學，福州大學名譽教授

北京大學客座教授

信產部十五，十一五規劃顧問。

人物評價

馬佐平院士對金屬/氧化物/半導體（MOS）的科學認知及技術發展，尤其是在MOS柵介質（包括高介電常數的柵介質）的科技領域做出重要貢獻。