非揮發性記憶體簡介 編輯 非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關掉後,所存儲的數據不會消失者的計算機存儲器。非易失性存儲器中,依...
非揮發性SRAM(Non-volatile SRAM,nvSRAM)是一種非揮發性隨機儲存記憶體,他的操作方法和普通的靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory,SRAM)大同小異,但卻不...
磁疇壁記憶體(domain-wall memory,DWM),一種實驗中的非揮發性記憶體,由IBM所屬的阿爾馬登研究中心(Almaden Research Center)研發,研發小組由IBM院士斯圖爾特·帕金(...
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,縮寫為MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,...
磁阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM),是一種非揮發性記憶體技術,從1990年代開始發展。這個技術的擁護者認為,這個技術速度接近SRAM,具有快閃...
相變記憶體的英文是“Phase-Change Memory”,簡稱“PCM”,是一種非易失性的記憶體產品。...
賽道記憶體(英語:Racetrack memory),又稱磁疇壁記憶體(domain-wall memory,DWM),一種實驗中的非揮發性記憶體,由IBM所屬的阿爾馬登研究中心(Almaden Research Center)研發...
非易失性雙列直插式記憶體模組(英語:non-volatile dual in-line memory module,縮寫NVDIMM)是一種用於計算機的隨機存取存儲器。非易失性存儲器是即使斷電也能保留其...
封裝產品方面1995至1996年主要研發為低密度之揮發性及非揮發性記憶體,屬於體積較大之膠體封裝。如DIP、SDIP、SOJ、PLCC、SOP330,450 Mils、QFP、LQFP、TSOP(Ⅱ)300...
舛岡富士雄博士對於非揮發性記憶體的想法感到非常的興奮,是一種在電源關閉後,還能保存資料的記憶體。目前擔任日本宮城縣仙台市東北大學名譽教授。繼續研究三維構造半導體...
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展...
FeRAM(Ferroelectric RAM),縮寫為FeRAM或FRAM,類似於SDRAM,是一種隨機存取存儲器技術。但因為它使用了一層有鐵電性的材料,取代原有的介電質,使得它也擁有非揮發...
可程式金屬化單元(英語:programmable metallization cell,縮寫為PMC),一種新的非揮發性記憶體技術,由亞利桑那州立大學開發,這項專利目前已授權並轉移給Axon Technologies...
當電腦進入半導體時代後,仍然有一段相當的時間,磁芯記憶體持續擔任主記憶體的角色。又由於磁芯記憶體是非揮發性記憶體(Non-volatile Memory),它的一個特色是:即使當機或...
使用NVFS非揮發性記憶體檔案系統,優點在於不會因為失去供電而丟失數據。當然NVFS也有缺點,就是數據可能會占用比檔案原有體積稍大一些的空間。...
半導體自旋電子學是半導體磁電子學,它是利用磁性半導體材料或者磁性/ 半導體的複合材料,將磁性引入到半導體中來,由此可以研製光學隔離器、磁感測器以及非揮發性記憶體等...