所謂電阻反常是指電阻率隨溫度的變化曲線上在某個特定溫度處曲線有一個轉折。
基本介紹
- 中文名:電阻反常
- 外文名:anomalous resistivity
定義
拓展





所謂電阻反常是指電阻率隨溫度的變化曲線上在某個特定溫度處曲線有一個轉折。




所謂電阻反常是指電阻率隨溫度的變化曲線上在某個特定溫度處曲線有一個轉折。定義所謂電阻反常是指電阻率隨溫度的變化曲線上在某個特定溫度處曲線有一個轉折。在低於該溫度區域電阻率上升較快,高於該溫度區域後電阻率增加較慢。拓展圖1...
反常電阻 反常電阻(anomalous resistance)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
《反常電阻與非局域電子加熱的理論和模擬研究》是依託核工業西南物理研究院,由王愛科擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 電子熱輸運至今還是ITER物理未解決的關鍵物理問題。國際上,非局域電子熱輸運現象作為理解電子熱輸運的典型研究標的被實驗、模擬和理論廣泛研究,但至今對非局域電子加熱還沒有一個公認的物理圖像。...
自2009年起,清華大學薛其坤院士帶領團隊向量子反常霍爾效應的實驗實現發起衝擊。截止到2013年的四年來,團隊生長和測量了1000多個樣品,利用分子束外延的方法生長了高質量的磁性摻雜拓撲絕緣體薄膜,將其製備成輸運器件並在極低溫環境下對其磁電阻和反常霍爾效應進行了精密測量。終於發現在一定的外加柵極電壓範圍內,此...
結電阻低、重複率好的優質單勢壘磁隧道結材料。深入研究磁隧道結的偏壓特性,運用全量子力學模型,結合磁振子、聲子的激發及界面能級結構的變化,對隧道結磁電阻隨偏壓變化的現象作出理論詮釋。製備雙勢壘磁隧道結或選擇自旋極化率符號相反的鐵磁電極材料,研究反常隧道磁電阻現象及其隨外加偏壓的變化。
在通有電流的金屬或半導體上施加磁場時,其電阻值將發生明顯變化,這種現象稱為磁致電阻效應,也稱磁電阻效應(MR)。已被研究的磁性材料的磁電阻效應可以大致分為:由磁場直接引起的磁性材料的正常磁電阻、與技術磁化相聯繫的各向異性磁電阻摻雜稀土氧化物中特大磁電阻、磁性多層膜和顆粒膜中特有的巨磁電阻以及隧道磁...
《電阻率和激發極化電測深的方法理論研究》是由武漢地質學院北京研究生院擔任第一完成單位,由李金銘、趙改善擔任主要完成人的科研項目。成果信息 成果摘要 研究成果包括兩部分內容。第一部分是對溫納測深的研究。主要是對球體和板狀體地質體及水平層狀介質的溫納測深法的異常規律進行研究,尤其是對三深的反常現象及其...
《強關聯氧化物超導材料反常物理特性的理論研究》是依託北京師範大學,由馮世平擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在t-J模型和費密子--自旋理論框架下,我們系統地研究了強關聯氧化物材料反常的物理性質。在沒有外加磁場的情況下,對於系統中電荷動力學的主要貢獻是來自於空位子的散射,而對於系統中自旋動力學的...
對鐵氧化物超導材料的低能電子結構的研究包括費米面附近的能帶結構及其隨摻雜、溫度的變化。對電荷輸運性質的研究包括電阻率和光電導,其隨溫度、摻雜、頻率等的變化。通過對新型鐵氧化物超導材料理論上的研究,理解多帶效應和強關聯效應對系統電子結構的影響以及引起的反常物理性質。
但經會聚電子束輻照後,在垂直於界面方向出現反常的周期加倍襯度,相應的電子衍射譜中也出現附加的衍射斑點,且晶格參數顯著增大,即發生了結構相變,空間群由rc轉變為i12/a1。而當電子束移開後,轉變後的結構又恢復到原來的菱面體結構。分析認為,這種可逆性結構相變是襯底誘導失配應力和電子束誘導熱應力聯合作用的...
剩餘電阻比 剩餘電阻比(residual resistivity ratio)是2019年發布的物理學名詞。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
電阻反常是稀磁合金的電阻隨溫度下降而減小到一定值後,將隨溫度下降而增大;磁化率反常是稀磁合金中的雜質磁化率在低溫下隨溫度的變化不滿足居里定理;而比熱反常就是低溫下稀磁合金的比熱不滿足線性溫度規律。稀磁合金的這些反常物理性質產生於低溫下的局域自旋磁矩通過交換相互與傳導電子形成了一個強關聯電子系統,...
實現單電子隧穿過程. 庫侖阻塞概念的提出最早可以追溯到1951年. Gorter等人為了解釋顆粒狀金屬電阻隨溫度下降所表現出來的反常增加行為,假想材料中每個金屬微粒與其周圍的微粒在電學上是絕緣的,相互之間存在著隧穿勢壘. 他們認為直接利用前面提到的庫侖阻塞的簡單概念,可以解釋電阻反常增加的行為. 在提出庫侖阻塞概念...
電流片是指介於兩個反向磁場之間的電流薄層,亦稱中性片。簡介 從兩側流來的電漿在這裡進行磁合併可使電漿加熱和加速。電流片中發生的不穩定過程對加速和加熱也有重要作用,主要原因是離子聲不穩定性產生離子聲湍動使電阻反常並增大幾個數量級,撕裂模不穩定性使電流片潰散為一系列分離的電流絲,在電流絲之間...
反常霍爾效應(AHE)1881年,霍爾在研究磁性金屬的霍爾效應時發現,即使不加外磁場也可以觀測到霍爾效應,這種零磁場中的霍爾效應就是反常霍爾效應。量子霍爾效應(QHE)1980年初,德國物理學家馮• 克利青在極低溫和強磁場作用下測量金屬—氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的霍爾電阻時發現了一個與經典霍爾效應完全不...
鐵磁導體中的霍爾電阻由正比於磁場的正常霍爾效應部分和正比於材料磁化帶來的反常霍爾效應部分組成。量子反常霍爾效應指的是反常霍爾效應部分的量子化。量子自旋霍爾效應的發現極大地促進了量子反常霍爾效應的研究進程。前期的理論預言指出,量子反常霍爾效應能夠通過抑制HgTe系統中的一條自旋通道來實現。遺憾的是,還沒有...
2013年,中國科學院的薛其坤院士領銜的合作團隊又發現,在一定的外加柵極電壓範圍內,此材料在零磁場中的反常霍爾電阻達到了量子霍爾效應的特徵值h/e2~ 25800歐姆。2013年3月15日,這個成果線上發表在《科學》雜誌上。這一發現可被用於發展新一代低能耗電晶體和電子學器件,進而推動信息技術的進步。參見 石墨烯 霍...
電阻率的變化可能由兩個過程引起:當電流片長度超過其寬度的2 π倍時,撕裂模不穩定性將發生,從而形成一些局部強電流區。當局部區域的電流密度超過某個閾值時,由於微觀不穩定性(雙流不穩定性),將產生很大的反常電阻,從而最終觸發快速磁重聯。該模型缺點是為達到臨界狀態所需的剪下遠遠超過觀測上的值。有人發現和...
另外,我們在Co/ITO多層膜和Fe/ITO多層膜中實現了巨磁電阻效應,研究了該效應的溫度相關性。 同時,我們觀察到Fe/ITO顆粒膜的電阻和巨磁電阻反常的溫度依賴關係。還觀察到NiFe/ITO顆粒膜中正常磁電阻效應(正磁電阻效應)和低溫下NiFe顆粒間的隧穿磁電阻效應(負磁電阻效應)的相互競爭效應;還觀察到Fe/ITO多層膜...
1957年,受僱於索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1925~)在改良高頻電晶體2T7的過程中發現,當增加PN結兩端的電壓時電流反而減少,江崎玲於奈將這種反常的負電阻現象解釋為隧道效應。此後,江崎利用這一效應製成了隧道二極體(也稱江崎二極體)。 1960年,美裔挪威籍科學家加埃沃(Ivan Giaever,1929~)通過實驗...
此外還設計了不同於傳統三明治結構的平面型的阻變存儲單元,在此結構器件中實現了較為穩定的阻變特性。分別研究了濺射時間、後處理條件和上電極對其阻變特性的影響,深入探討了正常、反常和單邊電致電阻效應的物理機制。研究結果對促進具有自主智慧財產權的高性能存儲器件的研發也有很好的技術參考價值。
擬用濺射技術製備具有合適的面內、垂直磁各向異性的不同厚度、成分、晶體結構的亞鐵磁薄膜,結合結構和形貌觀測,通過變溫下直流與交流磁性測量和磁阻與霍爾的電輸運測量,獲得不同電場下亞鐵磁薄膜的矯頑力、各向異性磁電阻、反常霍爾、磁能積和共振峰隨外磁場夾角的變化。結合以上數據,系統研究在不同成分和溫度下,...
(4)揭示了龐磁阻材料La0.225Pr0.4Ca0.375Mn(1-x)RuxO3反常電致電阻效應,即:外電場雖增強了鐵磁金屬相但卻導致了系統電阻的增加。研究表明,系統中由於Ru的摻雜而引入的Mn3+-Ru4+鐵磁超交換作用與Mn3+-Ru4+反鐵磁交換作用是產生這種效應的主要原因。
[案例二]變壓器有載調壓分接開關特性測試過渡電阻不平衡 [案例三]變壓器有載調壓開關擋位直流電阻值異常檢測 [案例四]變壓器有載調壓開關直流測試過渡波形接零 [案例五]變壓器有載調壓開關切換芯子和選擇器傳動失效 [案例六]變壓器有載調壓開關低電壓短路阻抗值超標 [案例七]變壓器有載調壓分接開關底部放油螺栓...
在超強磁場的條件下,觀察到樣品電阻值的反常突變,表明發生磁場誘導相變。而這一相變是由於體系進入量子極限以後多體相互作用增強,從而引發的自旋密度波相變。專家認為,這一發現表明了狄拉克半金屬是一個研究拓撲態關聯效應的理想平台,為進一步研究狄拉克電子性質提供了新線索。
除了反常擴散和反常熱導外,還有反常電阻、反常粘滯性、反常趨膚效應、無碰撞激波層內的反常耗散等。反常輸運現象不僅存在於磁約束電漿中,在慣性約束電漿中也經常出現。總之,反常輸運在電漿中是相當普遍的現象,在很多情況下它們對經典輸運有顯著的偏離,並成為決定輸運過程的主要因素。因此,研究反常輸運問題...
實驗與理論之差的額外損耗稱為反常損耗。反常損耗部分來源於疇壁移動時通過電磁感應在疇壁附近感生的微渦流;另一部分則是由於疇壁的釘扎或疇壁的變形。值得注意的是,反常損耗在一些金屬磁性材料(如矽鋼片)總損耗中占很大部分。磁滯損耗 磁滯損耗是由於磁性材料中存在不可逆的磁化過程(疇壁的不可逆位移,磁疇的...
包括ZnCoO磁性半導體的高質量單晶薄膜的分子束外延的可控生長、缺陷引起的局域振動模與鐵磁性的研究、s,p-d交換耦合機制的研究、自旋電流相關的磁電阻效應和反常霍爾效應、基於內稟反常霍爾效應的內稟鐵磁性、以及電極化驅動的自旋電流相關的磁電阻效應和反常霍爾效應。其中最主要的創新點:1、高摻雜ZnCoO磁性半導體的...
