離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。
基本介紹
- 中文名：離子束沉積
- 定義：用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層
離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。
離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。...
離子束輔助沉積(lon Beam Assisted Deposition 或Ion Beam Enhanced Deposition,簡稱IBAD或IBED)，是把離子束注入與氣相沉積鍍膜技術相結合的複合表面離子處理技術，也是離子束表面處理最佳化的新技術。這種複合沉積技術是在離子注入材料表面改性過程中，使膜與基體在界面上由注入離子引發的級聯碰撞造成混合，產生過渡層而牢固...
離子束濺射 離子束濺射(IBS)，也稱為離子束沉積(IBD)，是一種薄膜沉積工藝，使用離子源，將靶材（金屬或電介質）沉積或濺射到基片上，以形成金屬或電介質膜。因為離子束是等能的（離子具有相等的能量），且高度準直，所以與其他PVD（物理氣相沉積）技術相比，其能夠精確地控制厚度，並沉積非常緻密的高質量薄膜。
離子束增強沉積 離子束增強沉積是2005年公布的材料科學技術名詞。定義 電子束蒸發或濺射沉積薄膜的同時，用一定能量的離子束進行轟擊，以在襯底上形成具有特定性能表面覆蓋層的技術。出處 《材料科學技術名詞》。
雙離子束沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於1994年12月15日啟用。技術指標 1．極限真空度：6×10-4Pa2．主源：1000eV，100—120mA輔源：800eV，100mA3．濺射靶：F100mm4．基片台：F40mm，旋轉，掃描，水冷。主要功能 本儀器之主源用於濺射，輔源用於輔助沉積，主源濺射出的靶材料...
離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年9月26日啟用。技術指標 1．主離子源離子源發射束徑：≥Φ120mm；離子能量可調範圍：0-1000eV；2．輔助離子源離子束轟擊範圍直徑：＞Φ100mm；離子能量可調範圍：0-1000eV；3．四靶台（水冷、外部隨機換靶）或三靶台靶台一次可裝不同材料...
磁控與離子束輔助沉積是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2006年10月26日啟用。技術指標 型號 FJL-560 真空室尺寸 Ф550x450mm 真空系統配置 複合分子泵、機械泵、閘板閥 極限壓力 ≤6.67x10-5Pa (經烘烤除氣後) 恢復真空時間 40分鐘可達到6.6x10-4Pa (系統短時間暴露大氣並充乾燥氮氣開始抽氣...
《分子團簇負離子束沉積超薄BiSe二維拓撲絕緣體》是依託武漢大學，由劉雍擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目發展適用於二維超薄材料製備的分子團簇負離子束技術，用串列加速器的銫濺射負離子源產生BiSe,FeSe和BiFeSe等化合物離子束，在兩個45度分析磁鐵之間安裝電掃描裝置，團簇離子束靶室中的樣品台外...
《離子束輔助沉積材料微組裝研究》是依託清華大學，由李恆德擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 天然生物材料貝殼珠層的結構是由納米級層狀的碳酸鈣和蛋白質相間而成。它是一種高強度高韌性的天然物質。受生物體自組裝過程的啟發，本課題的學術思想是利用我們所熟悉的離子束技術模擬這種生物過程以研究製備新型優質材料...
離子束輔助沉積（IBAD）是繼離子束混合（IM）製備非晶合金之後，被用於非晶和亞穩態合金製備的又一項離子束作用技術，本項目擬在發展了IBAD製備非晶和亞穩態合金的基礎上，進一步研究改變離子束轟擊角度對非晶和亞穩晶相形成的影響，包括非晶和亞穩晶相的動力學形成條件和範圍、IBAD定向生長二元亞穩態合金等方面的...
《離子束增強沉積人工心臟辨膜材料表面改性》是依託西南交通大學，由黃楠擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 採用離子束增強沉積、電漿源離子注入和表面氧化等方法進行了人工心臟瓣膜材料表面改性研究，合成了具有優異的血液相容性和力學性能的非晶態Ti- O薄膜及TiO2-x/TiN複合膜材料。從動態凝血時間 、...
《離子束及濺射沉積粒子互動作用對膜基界面的影響》是依託西安交通大學，由陳華擔任項目負責人的面上項目。 中文摘要 研究不同能量及束流密度的單一或混合離子束與其他濺射沉積原子或原子團的互動作用對異質基材表面共混層深和選擇濺射的影響。著重考核這種互動作用在隨後的鍍膜沉積過程中對膜基結合強度以及離子輔助轟擊...
離子束輔助沉積 離子束輔助沉積是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在氣相沉積的同時，進行離子束轟擊混合以改善薄膜性能的方法。出處 《材料科學技術名詞》。
《超低能Si團簇負離子束沉積製備矽烯(silicene)》是依託武漢大學，由劉傳勝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目建立一套超低能團簇負離子束沉積裝置，用銫濺射離子源產生Si的團簇負離子束，以6-20kV的吸極電壓引出，並在襯底上加0-20kV負偏壓，使團簇離子束的能量降低至100eV/atom以下，在Ag(001)、Ag(110...
納米離子束流複合沉積系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器，於2008年4月30日啟用。技術指標 設備包括三個真空室，其中濺射室內有一對三英寸的對靶，沉積室內有一四工位離子束濺射源和一常規磁控濺射靶；濺射室和沉積室的極限真空度：≤5x10-5 Pa (經烘烤除氣後)；系統真空檢漏漏率：≤6.6x10-8 Pa.l/S...
雙室磁控與離子束複合濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月10日啟用。技術指標 技術指標：主要用於濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜；極限真空：1E-6Torr（?30分鐘從?atm?抽到?1E-3 Torr?）；薄膜均勻性：±5%?（?4英寸）；靶源：靶源 φ...
本項目的實施有助於加深對離子束沉積薄膜的微觀過程的認識、豐富薄膜生長動力學的內容，對塗層導體緩衝層的製備，乃至對離子束材料改性技術都有重要的指導意義。結題摘要 本項目基本上按照原研究計畫和進度執行。研究了輔助離子束流和濺射離子束流對釔穩定氧化鋯（YSZ）薄膜結構和取向的影響，用離子束的各向異性破壞...
《球冠織構表面離子束增強沉積複合薄膜研究》是依託清華大學，由戴興建擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氣體離心機是鈾濃縮工廠的主要設備，而軸尖-寶石樞軸承是氣體離心機的關鍵部件，研究提高其承載力及磨損壽命的離子注入及離子束表面強化技術對開發具有更高承載力和更長壽命的氣體離心機用軸承具有重要價值。.發展軸...
離子束濺射沉積 離子束濺射沉積（ion beam sputter depositing）是2005年公布的航天科學技術名詞。公布時間 2005年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《航天科學技術名詞》第一版。
《C60半導體薄膜的簇團離子束沉積製備和離子摻雜》是依託武漢大學，由范湘軍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 探索了C60的製備和提純工藝，採用一種高效提純新方法，得到99.5%以上純度的C60粉末。研製了一台簇團離子束沉積設備，製備了C60薄膜，用多種分析手段研究了不同成膜條件下製備樣品的成分和結構，在多種...
全自動雙離子束濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的儀器，於2018年10月20日啟用。技術指標 真空室極限真空≤6.6×10-6Pa； 濺射沉積薄膜前本底壓強≤5×10-4Pa； 薄膜厚度均勻度：Ф200mm； 直徑範圍RSM值≤±5%、Ф150mm直徑範圍RSM值≤±3%； 樣品台：自轉帶公轉，轉速0~30RPM可調； 靶槍：帶水冷，...
《離子束輔助沉積技術製備非晶合金膜的研究》是依託清華大學，由潘峰擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 非晶薄膜以其優異的性能成為多學科關注的焦點之一。對於具有正混合熱和小組元金屬尺寸差系統，過去僅能用離子束混合製備很薄的薄膜，難於走向實際套用，本項目提出用離子束輔助沉積技術製備這些系統的非晶厚膜，研究...
離子束沉積薄膜技術及套用 《離子束沉積薄膜技術及套用》是國防工業出版社2003年出版的圖書，作者是劉金聲。《離子束沉積薄膜技術及套用》由國防工業出版社出版。
《離子束活化多元沉積電極的析氫電催化性能基礎研究》是依託湖南大學，由靳九成擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 用離子束方法在Ti基電極表面引入普通過渡元素修飾了68種電極；用電化學方法分別在酸性和鹼性介質中研究其析氫電催化性能：Tafel常數a、b、n、Ca、Rp、Si/Sf等及電極耐蝕性、析氫反應控制步驟等，其...
電子束誘導沉積中的電子束往往由掃描電子顯微鏡或掃描透射電子顯微鏡提供，而離子束誘導沉積（IBID）則用聚焦離子束代替了電子束。前體材料一般是液體或固體；在沉積實驗前，前體材料會被汽化或升華，之後在實驗中以準確控制的速率進入掃描電鏡所在的高真空腔。固態的前體也可以在腔內直接用電子束升華。若實驗溫度較高，...
離子束輔助沉積類金剛石等硬質膜研究 離子束輔助沉積類金剛石等硬質膜研究是由清華大學材料科學與工程系完成的科技成果，登記於1996年10月31日。成果信息
用金屬離子注入和離子束輔助沉積對氧化鋁、氮化矽進行了表面改性研究。研究了注入離子與基體材料相互作用機理，不同的注入參數對試樣微觀結構和性能變化的影響。結果表明，大劑量、高束流密度的金屬離子注入，可以使陶瓷材料的表層微觀結構發生很大的變化，並引起陶瓷力學性能的相應變化。對氮化矽陶瓷樣品。用80KeV的Ti離子...
離子束沉積方法的原理是採用氬電漿濺射石墨靶形成碳離子，並通過電磁場加速使碳離子沉積於基體表面形成類金剛石膜。離子束增強沉積是離子束沉積的改進型，它是通過濺射固體石墨靶形成碳原子並沉積在基體表面，同時用另一離子束轟擊正在生長中的類金剛石膜，通過這種方法提高了薄膜的沉積速率和緻密性，獲得的類金剛石...
在理論的預言下，人們採用各種手段試圖在實驗室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價鍵化合物，常用的製備方法有震盪波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應濺射、電漿化學氣相沉積、電化學沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈衝電弧放電和脈衝雷射誘導等，但這種超硬材料的合成結果並不理想，主要表現在沉積物多為非晶...
3.2.4 分子束外延67 3.2.5 其他蒸發鍍膜方法簡介67 3.3 濺射鍍膜工藝68 3.3.1 直流二極濺射及其原理68 3.3.2 射頻濺射69 3.3.3 磁控濺射70 3.3.4 反應濺射71 3.3.5 離子束沉積72 3.3.6 濺射沉積技術的特點72 3.4 化學氣相沉積工藝73 3.4.1 化學氣相沉積過程73 3.4.2 熱CVD74 3.4....