雜質擴散（diffusion of impurities）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：雜質擴散
- 外文名：diffusion of impurities
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
雜質擴散
相關詞條
- 雜質擴散
雜質擴散（diffusion of impurities）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
- 雜質擴散激活能
擴散激活能（Diffusion activation energy）是指雜質原子或者母體原子在固體（包括半導體）中擴散的激活能。簡介 固體中原子的擴散與溫度有很大的關係，即擴散係數D與溫度T之間存在指數函式關係：D=Do exp(－Ea/kT)，其中Ea就是原子擴散的...
- 雜質擴散化激活能
雜質擴散激活化能是指雜質原子或者母體原子在固體(包括半導體)中擴散的激活能。固體中原子的擴散與溫度有很大的關係，即擴散係數D與溫度T之間存在指數函式關係:D=Do exp(-Ea/kT)，其中Ea就是原子擴散化激活能。隨著溫度的升高，擴散係數...
- 熱擴散技術
雜質的間隙式擴散（如金在Si中的擴散）的擴散速度很快，擴散溫度較低一些。簡介 熱擴散技術是一種從1988年起才得以套用的高溫表面變質處理技術。採用這種技術可在鋼、鎳合金、鑽合金及硬質合金等含碳材料(最低含碳量為0.3%)表面形成...
- 擴散現象
固體的擴散在金屬的表面處理和半導體材料生產上很有用處，例如，鋼件的表面滲碳法(提高鋼件的硬度)、滲鋁法(提高鋼件的耐熱性)，都利用了擴散現象；在半導體工藝中利用擴散法滲入微量的雜質，以達到控制半導體性能的目的。溫度越高，分子熱...
- 擴散系統
擴散系統是一個工業套用技術。簡介 現在大部分器件的特徵尺寸通常小於1μm。大部分摻雜是通過離子注入而不是預澱積擴散完成的。但是，當需要製作重摻雜的薄層時，有時會採用擴散爐管來摻入所需雜質。除了採用的受控氣體是惰性氣體如氮氣...
- 擴散型單晶矽
擴散型單晶矽是在單晶矽中， 用擴散工藝摻入一定量的雜質，以改變其電學性質和電阻率數值。改變單晶矽導電類型的雜質，一類是磷、砷、銻， 摻雜後使單晶矽呈現電子型導電(N)型， 另一類是硼、鋁、鎵，攙雜後使單晶矽呈現空穴型導電(P)...
- 擴散(漢語詞語)
擴散是固體中惟一的一種傳質過程。絕大多數高溫固態反應，如固溶、沉澱、相變、再結晶，晶粒長大、蠕變、燒結、壓焊等都是借固態擴散過程完成的。完整晶體中的原子不能擴散，擴散過程必伴隨著點缺陷（包括點陣空位、自填隙原子、填隙雜質...
- 擴散處理剛玉
在高溫下，氣體中的氧可以通過擴散將Fe2+氧化成Fe3+4Fe2+ +O2→4Fe3++2O2-在剛玉藍寶石中，這時沒有氧空位了，相當於Al2O3中存在著Fe2O3雜質，電荷是平衡的，依Fe3+濃度的不同，寶石可以出現淺到中等的黃色。若在還原氣氛...
- 擴散自對準工藝
擴散自對準工藝是：先在一塊有二氧化矽膜的單晶矽片上澱積一層多晶矽，然後在多晶矽上刻蝕出兩個擴散視窗。當雜質經兩視窗擴散到單晶矽內形成“源”和“漏”的同時，多晶矽“柵”極(矽柵)也就自動形成了。因為此工藝過程只需一次光刻，...
- 電子束注入對多晶矽Si/SiO2界面處雜質硼遷移的影響研究
冶金法是低成本、節能環保的太陽能級多晶矽製備方法，但由於雜質硼在矽中的性質穩定，目前還沒有達到將硼去除到太陽能級矽要求的程度。硼在矽中的擴散速度遠大於在二氧化矽中的擴散速度，在Si/SiO2界面層處是以陽離子態存在的，並向...
- 擴散結深
生產中的兩種擴散法：無限（恆定）表面源雜質擴散、有限表面源雜質擴散，分別形成erfc（余誤差）分布和Gauss（高斯）分布，其結深近似有相同的表達式： 影響因素有：擴散時間、擴散係數、結面濃度、襯底濃度。
- 位錯和雜質偏析對W中H擴散影響的緊束縛模型研究
《位錯和雜質偏析對W中H擴散影響的緊束縛模型研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由雷華平擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 W作為受控核聚變反應堆中最有潛力的面向電漿材料受到廣泛研究。W體內的缺陷、雜質與H同位素(D/T...
- 一種晶體矽太陽能電池片擴散方法
擴散是晶體矽太陽能電池片生產過程中的一道重要工序，傳統擴散工藝對晶體矽太陽能電池片的表面均勻摻雜，為了減少接觸電阻、提高電池帶負載能力，太陽能電池片的表面摻雜濃度較高，但表面雜質濃度過高導致擴散區能帶收縮、晶格畸變、缺陷增加、...
- 工業矽熔體中非金屬雜質強化析出及協同去除研究
針對利用熔體精煉和濕法浸出追求雜質的高去除率，而對矽中雜質相析出、雜質相與濕法浸出協同作用機制不夠重視等問題，項目提出矽熔體中非金屬雜質強化析出及協同去除研究。主要研究矽熔體凝固過程中非金屬雜質擴散和遷移的熱力學與動力學，...
- 氣相擴散滲鍍
現在大部分器件的特徵尺寸通常小於1μm。大部分摻雜是通過離子注入而不是預澱積擴散完成的。大部分液態源雜質是通過氣相傳輸方法送入爐管的。滲金屬，是指以金屬原子滲入鋼的表面層的過程。它是使鋼的表面層合金化，以使工件表面具有...
- 雜質
取一定量的供試品雜質限量對照溶液，於同一色譜濾紙上點樣，展開後比較雜質斑點的個數、顏色或螢光強度等。通常用於極性較大的藥物或放射性藥物的雜質檢查，該法展開時間長、斑點較為擴散、不能用強酸等腐蝕性顯色劑，因此套用範圍較小...
- 漂移電晶體
漂移電晶體是由雜質擴散方法製成的電晶體，由於基區雜質分布不均勻，因此又稱為梯度基區電晶體。在這種電晶體中，由於基區雜質不均勻，因而產生一個電場。少子在基區不但有擴散運動，也有漂移運動，甚至以漂移運動為主。簡介 漂移電晶體...
- 分散劑NNO
分散劑NNO是一種有機物，化學式為CHNa₂O₆S₂，易溶於任何硬度的水中，具有優良擴散性和保護膠體性能。產品介紹 產品名稱：分散劑NNO 商品名稱：分散劑NNO，也叫擴散劑NNO 化學名稱：亞甲基雙萘磺酸鈉，亞甲基二萘磺酸鈉，萘...
- 半導體摻雜技術
對於Si晶體，要在其中形成大量的空位，所需要的溫度大致為1000度[C]左右，這也就是熱擴散的溫度。離子注入技術 (2)離子注入技術：為了使施主或受主雜質原子能夠進入到晶體中去，需要首先把雜質原子電離成離子，並用強電場加速、讓這些...
- 水處理
水處理的方式包括物理處理和化學處理。人類進行水處理的方式已經有相當多年歷史，物理方法包括利用各種孔徑大小不同的濾材，利用吸附或阻隔方式，將水中的雜質排除在外，吸附方式中較重要者為以活性炭進行吸附，阻隔方法則是將水通過濾材，...
- 多晶矽定向凝固反向誘導泉涌效應的研究
如何抑制定向凝固過程中雜質反擴散行為，是一個急需解決的關鍵共性問題。本項目提出一種全新的研究思路，在凝固達到預期良率、液固共存的狀態下，利用矽在凝固時體積發生膨脹的特性，通過改變熱場和氣氛環境誘導富含雜質的液矽表面首先形核...
- 平面電晶體
不過對平面電晶體來說、這兩個p-n結都是由雜質擴散到晶片內部而形成的。先用p型雜質元素——如硼元素作為擴散雜質源，在高溫下該雜質原子擴散到晶片內部的n型外延層中，形成p型擴散基區。這個p型擴散基區與原先生長在晶片表面的扎...
- 分散劑MF
擴散劑MF是一種甲基萘磺酸鈉的甲醛縮合物，分散劑MF為棕色粉末，易溶於水，易吸潮，不燃，具有優良的擴散性和熱穩定性。產品介紹 英文名稱：Naphthalenesulfonic acid, polymer with formaldehyde, sodium salt CAS號：9084-06-4 性狀：...
- 快速氣相摻雜
快速氣相摻雜是一種摻雜劑從氣相直接向矽中擴散、並能形成超淺結的快速摻雜工藝。利用快速熱處理過程（RTP）將處在摻雜氣氛中的矽片快速均勻地加熱至所需要的溫度，同時摻雜劑發反生應產生雜質原子，雜質原子直接從氣態轉變為被矽表面吸附...
