集電區是晶體三極體是由2片PN結構成的，它分為集電區，基區和發射區。
基本介紹
- 中文名：集電區
- 拼音：ji dian qu
- 詞性：名詞
- 解釋：晶體三極體的組成部分
它的特點是面積很大(相對於基區和發射區而言)，從集電區引出的極點就是集電極。
集電區是晶體三極體是由2片PN結構成的，它分為集電區，基區和發射區。
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集電港一期位於上海市浦東新區張江高科技園區路口,規劃面積約2.91平方公里,園區產業主要有積體電路、信息技術、軟體等相關產業。...
對於一般放大工作的npn-BJT,由於集電結加有反向電壓,則在基區尾部、靠近集電結勢壘邊緣處的電子(少子)被抽出、使得該處的電子濃度=0。但是如果是在大電流工作...
中間的N區(或P區)叫基區,兩邊的區域叫發射區和集電區,這三部分各有一條電極引線,分別叫基極B、發射極E和集電極C,是能起放大、振盪或開關等作用的半導體電子...
三極體的發射區和基區之間的PN結叫發射結,集電區和基區之間的PN結叫集電極。基區很薄,而發射區較厚,雜質濃度大,PNP型三極體發射區"發射"的是空穴,其移動方向與...
因為飽和壓降直接關係到集電極串聯電阻,故為了降低飽和壓降,就需要提高集電區摻雜濃度;但為了提高提高擊穿電壓,又需要減小集電區摻雜濃度,這是一個矛盾.為解決此矛盾...
兩個p-n結是發射結和集電結;三個區域是發射區、基區和集電區。不過對平面電晶體來說、這兩個p-n結都是由雜質擴散到晶片內部而形成的。...
對於p+-n--p-n+結構的SCR,可以等效為兩個BJT的組合,這兩個BJT共用兩個區域(基區和集電區),柵極可接在陰極一端BJT的基區(p區)上。當構成SCR的兩個BJT...
τB≈τF 是電子渡越中性基區的時間,τF是移走基區和發射區中存儲電荷所需要的時間 (略大於τB),τC = (kT/qIc + rc)CjC是集電結的充電時間,τD =...