基本介紹
- 中文名：門二極體
- 釋義：由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場
基本介紹,符號意義,
基本介紹
當不存在外加電壓時，由於p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。
門二極體
符號意義
CT---勢壘電容Cj---結（極間）電容，表示在二極體兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極體的總電容Cjv---偏壓結電容Co---零偏壓電容CJO---零偏壓結電容Cjo/Cjn---結電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度係數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比CTC---電容溫度係數Cvn---標稱電容
