IGBT鎖拴效應IGBT在結構上隱含了N+PN-P+晶閘管，在發射極一側（MOSFET源極）空穴電流流過短路電極的電壓降一旦在0.5V以上時，就會有部分空穴流經PN+結，造成大量電子注入到P區並進入長基區，從而導致等效晶閘管的開通觸發。這種觸發現象稱之為鎖拴效應（latch up）。
基本介紹
- 中文名：鎖拴效應
- 特點：結構上隱含了N+PN-P+晶閘管
- 性質：觸發現象
- 學科：物理
IGBT鎖拴效應IGBT在結構上隱含了N+PN-P+晶閘管。在發射極一側（MOSFET源極）空穴電流流過短路電極的電壓降一旦在0.5V以上時，就會有部分空穴流經PN+結，造成大量電子注入到P區並進入長基區，從而導致等效晶閘管的開通觸發。這種觸發現象稱之為鎖拴效應（latch up）。
