超分辨光刻裝備項目

國家重大科研裝備研製項目“超分辨光刻裝備研製”2018年11月29日通過驗收。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的晶片。

該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關智慧財產權壁壘。