| 中文名稱 | 薄膜電阻材料 |
| 英文名稱 | thin film resistance materials |
| 定 義 | 採用真空蒸鍍、直流或交流濺射、化學沉積等方法製成的厚度一般在0.5~11m以下的膜式電阻材料。有Ni-Co系、Ta系、Si系、金屬陶瓷系電阻膜以及Au-Cr、Ni-P等電阻薄膜。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），金屬材料（二級學科），特殊用途金屬材料（三級學科），電阻合金（四級學科） |
| 中文名稱 | 薄膜電阻材料 |
| 英文名稱 | thin film resistance materials |
| 定 義 | 採用真空蒸鍍、直流或交流濺射、化學沉積等方法製成的厚度一般在0.5~11m以下的膜式電阻材料。有Ni-Co系、Ta系、Si系、金屬陶瓷系電阻膜以及Au-Cr、Ni-P等電阻薄膜。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），金屬材料（二級學科），特殊用途金屬材料（三級學科），電阻合金（四級學科） |
薄膜電阻器是用類蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍於絕緣材料表面製成,一般這類電阻常用的絕緣材料是陶瓷基板。...
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巨磁電阻( GMR, giant mag netoresistance) 材料是指在外磁場的作用下電阻發生顯著變化( 通常是指電阻降低) 的一類功能性材料, 當該類材料的電阻隨外磁場的變化...