萬景，男，博士，復旦大學信息科學與工程學院研究員。
基本介紹
- 中文名：萬景
- 畢業院校：法國格勒諾布爾大學
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：各種新型微納半導體器件的TCAD仿真、工藝製備、器件測試和建模
- 就職院校：復旦大學
人物經歷,主講課程,研究方向,主要成就,學術成果,榮譽獎項,
人物經歷
- 2012.10 至 2016.08 Globalfoundries公司，Malta，美國，高級工程師
- 2009.07至2012.10 法國格勒諾布爾大學 納米電子與納米技術博士
- 2006.09至2009.07 復旦大學 微電子與固體電子學碩士
- 2001.09 至2005.07 南昌大學 電子信息工程學士
- 復旦大學微納系統中心青年研究員、博導。
- 復旦大學信息科學與工程學院研究員
主講課程
現代CMOS器件，研究生選修課
研究方向
- 各種新型微納半導體器件的TCAD仿真，工藝製備，器件測試和建模1. 新型低亞閾擺幅開關和揮發性存儲器 (Z2-FET)2. 新型光電感測器3. 隧穿場效應電晶體(Tunneling FET, TFET)
主要成就
2022年12月，據復旦大學微電子學院官方公告，該學院教授周鵬、研究員包文中及信息科學與工程學院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發出性能優異的異質 CFET 技術。相關成果已經發表於《自然 — 電子學》雜誌上。
學術成果
1. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “Low-frequency noise behavior of tunneling field effect transistors”, Appl. Phys. Lett. 97, 243503 (2010).
2. J. Wan, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “Comment on "Investigation of tunnel field-effect transistors as a capacitor-less memory cell" [Appl. Phys. Lett. 104, 092108 (2014)]”, Appl. Phys. Lett. 106, 016101 (2015).
3. Y. Solaro, J. Wan, P. Fonteneau, C. Fenouillet-Beranger, C. Le Royer, A. Zaslavsky, P. Ferrari, S. Cristoloveanu "Z2-FET: A promising FDSOI device for ESD protection", Solid-State Electronics. 97, 23 (2014).
4. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “A systematic study of the sharp-switching Z2-FET device: from mechanism to modeling and applications”, Solid-State Electronics. 90, 2 (2013)
5. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “Progress in Z2-FET 1T-DRAM: Retention time, writing modes, selective array operation, and dual bit storage”, Solid-State Electronics. 84, 147 (2013)
6. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “A feedback silicon-on-insulator steep switching device with gate-controlled carrier injection”, Solid-State Electronics. 109, 111 (2012).
7. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “A Compact Capacitor-Less High-Speed DRAM Using Field Effect-Controlled Charge Regeneration”, IEEE Electron Device Letters. 33, 179 (2012).
8. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “Novel Bipolar-Enhanced Tunneling FET (BET-FET) with Simulated High ON Current”, IEEE Electron Device Letters. 34, 24 (2013).
9. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “A tunneling field effect transistor model combining interband tunneling with channel transport”, J. Appl. Phys. 110, 104503 (2011).
10. J. Wan, C. Le Royer, A. Zaslavsky, and S. Cristoloveanu, “Tunneling FETs on SOI: Suppression of Ambipolar Leakage, Low-Frequency Noise Behavior, and Modeling”, Solid-State Electronics. 65-66, 226 (2011).
榮譽獎項
- 2014----IEEE EDL金牌審稿人
- 2013----法國納米科學基金委優秀博士論文獎
- 2012----提名IEEE EDL, George E. Smith 獎
- 2012----VLSI-TSA最佳會議報告獎
- 2012----EuroSOI最佳會議報告獎
- 2009----上海市優秀碩士論文
- 2009----復旦大學優秀碩士論文
