華為P10快閃記憶體門

華為P10快閃記憶體門

華為P10“快閃記憶體門”起源於一些網友在購買P10手機後,經過測試軟體發現華為P10系列手機快閃記憶體速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示,有部分手機的快閃記憶體速度只達到了200+MB/秒。根據一些媒體報導的評測參數和P10用戶測試,速度可以達到800MB/秒左右。

2017年4月28日,深圳市消費者委員會發布調查通報稱,調查結果顯示,華為P10系列手機整機符合出廠標準和國家檢驗標準,未發現批量性質量問題。

基本介紹

  • 中文名:華為P10快閃記憶體門
  • 關聯:華為P10手機快閃記憶體事件
事件說明,事件來源,事件結果,調查結果,

事件說明

被華為終端寄予厚望的旗艦機型P10系列上市沒多久,就陷入了巨大的爭議之中。
先是引起小規模質疑的,再到網友用Androbench軟體測試記憶體讀寫速度,發現華為P10混用eMMc5.1與UFS快閃記憶體。導致華為“P10快閃記憶體門”發生

事件來源

對於這種現象,有業內人士認為,根源在於不同批次生產的P10手機可能分別採用了eMMC和UFS方案,所以導致了快閃記憶體速度差異。
而本次華為P10“快閃記憶體門”的問題就在於,同樣是P10手機,有的P10手機採用了eMMC5.1,有的P10手機用了UFS2.0,還有的P10手機用了UFS2.1。而且華為P10在記憶體上也存在縮水的行為,將部分P10手機的LPDDR4記憶體變成了LPDDR3。在這些存儲晶片縮水的情況下,一些P10用戶對手機進行測試,將結果公布在網路上之後持續發酵。

事件結果

2017年4月27日晚間,針對華為手機近期爆出的“快閃記憶體門”,華為消費者業務CEO余承東發布微博稱,“深刻自省,迅速改進”,貼上了一封他發給華為消費者業務全員內部郵件,反思之前的“記憶體事件”。

調查結果

2017年4月28日,深圳市消費者委員會發布對華為P10手機快閃記憶體的調查通報稱,調查結果顯示,華為P10系列手機整機符合出廠標準和國家檢驗標準,未發現批量性質量問題。截至目前,未發現華為P10系列手機存在虛假宣傳和批量性產品質量問題的情況。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們