范緒筠

范緒筠（1912年7月15日—2000年）是中國半導體物理學研究的先驅之一。他1933年畢業於哈爾濱工業大學，後赴美國麻省理工學院深造，1937年獲科學博士學位。抗戰期間，他在清華大學無線電研究所從事半導體物理理論與實驗研究，1942年發表關鍵論文揭示半導體導電電子密度異常現象，為固體電子學發展奠定基礎。1940年代參與大普集“中國皇家學會”跨學科交流，是該組織最年輕的成員。戰後赴美任教於MIT和普渡大學，擔任國際純粹與套用物理聯合會半導體專業委員會委員，其研究成果對於固體電子學的發展和第二次世界大戰後半導體的廣泛套用起了重要作用。培養出洪朝生等傑出學者，對國際半導體物理學界產生深遠影響。

基本介紹

• 出生地：上海市 
• 畢業院校：哈爾濱工業大學 
• 逝世時間：2000年 
• 國際職務：IUPAP半導體專業委員會委員 
• 代表成果：發現半導體導電電子密度異常現象  
• 榮譽地位：台灣“中央研究院”院士  

教育背景與早期經歷

1933年畢業於中俄哈爾濱工業大學（現哈爾濱工業大學前身），後赴美國麻省理工學院深造，1937年獲科學博士學位。1937年回國後任清華大學電機系教授，抗戰期間隨校南遷至昆明，在清華大學無線電研究所開展研究。

抗戰時期科研突破

1942年完成《固體間電接觸的理論》和《金屬間以及金屬和半導體問題的接觸》兩篇論文：

1. 首次發現半導體導電電子密度可能顯著偏離正常值的現象
2. 通過實驗證實鍺、矽存在吸收限，用光學性質證明半導體禁帶的存在
3. 定量分析接觸界面處電子密度分布規律這些成果被收錄於《中國物理學發展重要成就》，為20世紀50年代半導體技術套用提供理論支撐。

國際學術影響

1940年代後期赴美任教：

• 1947年任麻省理工學院研究員
• 1948年起任普渡大學訪問教授
• 擔任國際純粹與套用物理聯合會半導體專業委員會委員在美期間繼續推進鍺、矽半導體研究，其成果被評價為‘推動半導體戰後工業套用的核心基礎’。

人才培養貢獻

1944年指導洪朝生赴麻省理工學院學習物理電子學，奠定後者在低溫物理領域的學術基礎。1939-1945年間，作為西南聯大電機系教師，其跨學科教學方法培養出大批物理電子學人才。在普渡大學期間持續關注中國學者訪美研究工作。

學術組織參與

1940年代參與創建大普集“中國皇家學會”，與吳有訓、余瑞璜等學者開展跨學科合作：

• 該組織成員中9人後當選中央研究院院士或中國科學院學部委員
• 作為最年輕成員（時年28歲）參與學術交流
• 組織活動促進戰時中國實驗物理學研究延續

所獲榮譽

時間	榮譽表彰
1963年	鄧肯物理學傑出講座教授獎
1990年	普渡大學科學榮譽博士