深能級

深能級，距導帶底較遠的施主能級和離價帶頂較遠的受主能級稱為深能級。相應的雜質稱為深能級雜質。深能級雜質能夠產生多次電離，每次電離相應地有一個能級,則在禁帶中引入若干個能級。而且，有的雜質既能引入施主能級，又能引入受主能級。深能級雜質一般含量極少，而且能級較深，它們對載流子濃度和導電類型的影響沒有淺能級雜質顯著，但對於載流子的複合作用比淺能級雜質強,故這些雜質又稱為複合中心。

基本介紹

• 中文名：深能級
• 外文名：A deep level
• 屬性：電子束縛態
• 特點：在禁帶中形成多重能級
• 學科：材料工程

簡介

半導體中的深能級所包括的範圍十分廣闊，可以是單個的雜質原子或缺陷，也可以是雜質和缺陷的絡合體。它們往往可以連續接受幾個電子，在禁帶中形成多重能級，各對應於不同的電荷態。

電子-空穴複合

半導體的深能級雜質可以提供電子和空穴複合的渠道，起“複合中心”的作用，其具體過程是，導帶電子落入深能級，然後再落入價帶的空能級；其總效果是消滅一對電子和空穴，即電子-空穴複合。這個過程也可以看做是深能級先後俘獲一個電子和一個空穴。複合的逆過程就是電子-空穴對的產生，它可以看做是深能級先後發射一個電子和一個空穴。

深能級雜質

雜質能級的位置位於禁帶中心附近，電離能較大，在室溫下，處於這些雜質能級上的雜質一般不電離，對半導體材料的載流子沒有貢獻，但是它們可以作為電子或空穴的複合中心，影響非平衡少數載流子的壽命，這類雜質稱為深能級雜質。

深能級瞬態譜

 

深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手 段。根據半導體P-N 結、金-半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有很高檢測靈敏度的實驗 方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶範圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量） 分布的DLTS 譜。