段鶴

段鶴，女，博士，廣東工業大學副教授，碩士生導師。2008年，中科院上海技術物理研究所獲理學博士。研究領域為基於密度泛函理論框架中的第一性原理計算方法，計算模擬凝聚態物質中的雜質缺陷，為材料生長及套用出現的物理問題提供理論支持。

基本介紹

• 中文名：段鶴
• 國籍：中國
• 畢業院校：中科院上海技術物理研究所
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師

教育背景

2004～2008 中科院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室微電子與固體電子學專業，博士

2001～2004 新疆大學材料物理與化學專業，碩士

1997～2001 新疆大學套用物理專業，學士

工作經歷

2008年1月至今 廣東工業大學物理與光電工程學院

主要榮譽

2012年，入選廣東省“千百十工程”校級培養對象

主要論文

1. He Duan, You-Zhong Dong, Zhi-Pin Lin, Xin Zhang, Yan Huang, and Xiao-Shuang Chen. Energetics of VHg-related defects in As-doped HgCdTe. Int. J. Mod Phys B, 27 (2013) 1350178 (10 pages).

2. He Duan, You-Zhong Dong, Jie Luo, Yan Huang, Xiao-Shuang Chen, and Wei Lu. Sources of carrier compensation in arsenic-doped HgCdTe. J. Phys Chem Solids. 74 (2013) 57-64.

3. He Duan, You-Zhong Dong, Yan Huang, and Xiao-Shuang Chen, and Wei Lu. Model of VHg Incorporation in Arsenic-Doped HgCdTe: First-Principles Calculations. J. Electron. Mater. 42 (2013) 1010-1016.

4. He Duan, You-Zhong Dong, Zhi-Pin Lin, Yan Huang, Xiao-Shuang Chen, and Wei Lu. The important features of VHg-related defects in arsenic-doped HgCdTe, Solid State Commun. 152 (2012) 1725-1728.

5. He Duan, You-Zhong Dong, Yan Huang, and Xiao-Shuang Chen. Abnormal physics of group-II telluride system: valence contribution of d electrons. Chin. Phys. B. 20 (2011) 043103.

6. He Duan, You-Zhong Dong, Xiao-Shuang Chen, Yi-Hua Hu, Yin-Hai Wang, and Wei Lu. Compensation mechanism for As donor in Hg1−xCdxTe: The case of AsHg–VHg pair. Phys. Lett. A. 374 (2010) 4471-4474.

7. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, Xiao-Hao Zhou, Li-Zhong Sun, and Wei Lu. Composition-dependent electronic properties, optical transitions, and anionic relaxations of Cd1−xZnxTe alloys from first principles. Phys. Rev. B. 76 (2007) 035209.

8. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, and Wei Lu. First-principles study of arsenic impurity clusters in molecular beam epitaxy (MBE) grown HgCdTe. Solid State Commun. 143 (2007) 471-475.

9. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, and Wei Lu. Microscopic origin of electrical compensation in arsenic-doped HgCdTe by molecular beam epitaxy: Density functional study. J. Electron. Mater. 36 (2007) 890-894.

10. He Duan, Xiao-Shuang Chen, Yan Huang, Liang Wang, and Wei Lu. First-principles study of fundamental properties and electronic structure of Cd1-xZnxTe alloys. Phys. Lett. A. 370 (2007) 517-521.

11. He Duan, Yu-Feng Zheng, You-Zhong Dong, Xiao-Gang Zhang, and Yan-Fei Sun. Pyrite (FeS2) films prepared via sol-gel hydrothermal method combined with electrophoretic deposition (EPD). Mater. Res. Bull. 39 (2004) 1861-1868.

科研項目

（1）廣東工業大學博士啟動基金（No. 083034），碲鎘汞材料砷摻雜自補償效應微觀機理的研究（2008.1-2008.12），課題負責人

（2）國家自然科學基金（理論物理專項）（No. 10847111），碲鎘汞材料砷摻雜機理的第一性原理研究研究（2009.1-2009.12），課題負責人

（3） 國家自然科學基金（青年基金）（No. 11404066），矽酸鹽長餘輝發光材料長餘輝機理的第一性原理研究（2015.1-2017.12），課題負責人