模擬積體電路設計

基本信息

作者：(加)約翰斯//(加)馬丁|譯者:曾朝陽//趙陽//方順

出版社：機械工業出版社出版日期：2005-07

ISBN：711115472版次：1

包裝：平裝開本：16開

頁數：12,498頁印張：1次

所屬分類：圖書 > 工業技術 > 電力電工 > 電工技術 > (分類細分與勘誤)

內容介紹

雖然在許多套用上，數字電路確實已經取代了大量模擬電路。但是，人們在面對所處的現實世界時，仍然需要大量優秀的模擬電路設

編輯推薦

本書是一本優秀的模擬積體電路分析與設計教材，它以直觀的角度、嚴密的思維邏輯，闡述了各種模擬電路的基本原理和概念，同時還討論了該領域中出現的新問題及新的技術發展。全書論述清晰，重點突出，實用性強，將理論與實際結合，提供了大量現代工業中的設計實例，介紹了許多實用的設計技巧，是從事這一領域的工程技術人員必備的參考書，同時也是一本不可多得的適合各電類專業高年級本科生和研究生學習的教材。

導電性能介於導體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導體。在電子器件中，常用的半導體材料有：元素半導體，如矽（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或製成其它化合物半導體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。

1.2 mos電晶體

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

1.3 高級mos模型

1.4 雙極結電晶體

1.5 器件模型總結

1.6 spice模型參數

1.7 附錄

1.8 參考文獻

1.9 習題

第2章工藝和布局

2.1 cmos工藝

2.2 雙極工藝

2.3 cmos布局和設計準則

2.4 模擬布局考慮

2.5 鎖存現象

2.6 參考文獻

2.7 習題

第3章鏡像電流源和單級放大電路基礎

3.1 簡單cmos鏡像電流源

3.2 共源放大器

3.3 源極跟隨器或共漏放大器

3.4 共柵放大器

3.5 源極退化鏡像電流源

3.6 高輸出阻抗鏡像電流源

3.7 共射共基增益級

3.8 mos差動對和增益級

3.9 雙極鏡像電流源

3.10 雙極增益級

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