梁春廣

梁春廣

梁春廣(1939.02.01—2003.05.27),廣東梅縣人,中國半導體物理與器件專家,中國工程院院士。

1954年入讀梅縣高級中學;1957年考入中山大學;1961年畢業於中山大學物理系,被分配到電子部第十三研究所工作,先後擔任第十三所第一研究室技術員、課題組長,第一研究室主任、教授級高級工程師、副總工程師、科技委主任、研究所副所長;1995年當選中國工程院院士;1997年當選為中國共產黨第十五次全國代表大會代表。

20世紀60年代,梁春廣榮獲全國科學大會獎。1985年榮獲國家科技進步獎一等獎。1986~1987年研製出“分子束外延超晶格場效應器件”。1992年評為國家有突出貢獻中青年專家。1997年獲電子工業部電子傑出人才(榮譽)獎。2001年榮獲“國家八六三計畫重要貢獻獎”。2002年榮獲第九屆何梁何利基金獎及河北省院士特殊貢獻二等獎。

基本介紹

  • 中文名:梁春廣
  • 國籍:中國
  • 出生地:廣東梅縣
  • 出生日期:1939年2月1號
  • 逝世日期:2003年5月27號
  • 職業:半導體物理與器件專家
  • 畢業院校:梅縣區高級中學,中山大學
  • 主要成就:20世紀60年代梁春廣榮獲全國科學大會獎。
    20世紀70年代榮獲1985年國家科技進步獎一等獎。
    1995年當選中國工程院院士。
    1997年當選為中國共產黨第十五次全國代表大會代表出席黨十五大。
  • 代表作品:研製出“分子束外延超晶格場效應器件”
人物生平,主要成就,半導體研究,教育工作,論文著作,榮譽記錄,人物評價,

人物生平

1939年2月,梁春廣出生於廣東梅縣城南鄉聖人寨。1954年,梁春廣入讀梅縣高級中學。1957年考入中山大學,1961年畢業於中山大學物理系。
1961年從中大畢業後分配到電子部第十三研究所工作,擔任十三所第一研究室技術員、課題組長,第一研究室主任、教授級高級工程師。
1986年6月至1987年12月,梁春廣曾作為高級訪問學者赴德國赫茲通信研究所(HHI)任客座研究員,成功研製出“分子束外延配超晶格調製摻雜場效應器件”。
1988年回國後,梁春廣擔任第十三所副總工程師、科技委主任;1990年,梁春廣任第十三所副所長,主要領導和組織研究所的戰略規劃和科技發展。
1989年後,梁春廣擔任國家863計畫光電子主題第二、三屆專家組成員,第四屆專家組組長;國家自然科學基金委半導體學科評審組第三、四屆成員,第五屆副組長,光電子學科第七、八屆成員;國家自然科學獎信息學科評審;微電子專家組成員、顧問,微米/納米專家組成員、顧問;北大微米(納米)國防科技重點實驗室學術委員會主任;第十三所研究所GaAs專用電路國防科技重點實驗室學術委員會主任等職務。
2003年5月27日17時30分,梁春廣先生因病於石家莊逝世,享年65歲。

主要成就

半導體研究

梁春廣一直從事半導體器件設計與研製工作,他最主要的科研成果是20世紀80年代研製成功中國國內第一代GaAsFET,而GaAsFET是積體電路的核心元件。
20世紀世紀90年代後,梁春廣主要致力於兩項工作。一項是極力推動“半導體照明燈”在國內的發展;另一項是“納米半導體科學技術”。這是當時最具吸引力的科技項目,是推動下一輪技術革命的突破口和制高點。
2002年,梁春廣創辦《微納電子技術》雜誌,為促進中國納米電子技術發展構造一個學術論壇。

教育工作

1997年梁春廣擔任十三所碩士、博士生導師,以及清華大學、吉林大學、河北工業大學等兼職教授和博士生導師。
華東師範大學教授高建軍曾師從梁春廣,於1994年獲得電子工業部第十三研究所微電子學碩士學位,於1999年3月獲得清華大學電子系電磁場與微波技術專業工學博士學位。

論文著作

1.《2.5Gb/s PIN-HEMT光接收機噪聲精確模擬》——電子學報;1996年11期
2.《偏置相關GaAs MESFET建模分析》——半導體情報;1996年02期
3.《光電器件模型在微波非線性電路模擬器中的實現》——通信學報;1998年02期
4.《PIN光電探測器等效電路模型研究》——微波學報;1998年01期
5.《單模半導體雷射器噪聲特性預測》——電子科學學刊;1998年05期
6.《一個簡單的量子阱雷射器等效電路模型》——固體電子學研究與進展;1999年03期
7.《OEIC跨阻光接收機中電感技術的研究》——清華大學學報(自然科學版);1999年09期
8.《一個金屬-半導體-金屬光電探測器等效電路模型》——電子科學學刊;1999年04期
9.《改進的HEMT器件噪聲等效電路模型》——清華大學學報(自然科學版);2001年07期
10.《MEMS光開關“》——半導體學報:英文版;2001年12期
11.《體矽MEMS 2D光開關研究 》——光纖通信;2001年03期
12.《高速低閾值半導體雷射器速率方程模型參數的直接確定》——固體電子學研究與進展;2002年01期
13.《RF MEMS技術》——微納電子技術;2002年01期
14.《電子13所電子技術進展》——光纖通信;2002年01期
15.《串聯MEMS開關的瞬態電磁場分析》——微納電子技術;2003年07期
16.《MEMS光開關技術進展》 ——世界產品與技術; 2003年06期

榮譽記錄

1961年至1964年,梁春廣參與研製的鍺高頻台式電晶體,為國家電台提供關鍵器件;
1965年至1970年,梁春廣研製成功Si MOSFET,並作為主要參加者榮獲全國科學大會獎;
1985年,梁春廣榮獲國家科技進步獎一等獎。
1978年,梁春廣研製的“高頻低噪聲電晶體系列”產品榮獲全國科學大會獎。
1978年至1985年,梁春廣的“CX型GaAs場效應電晶體系列”成果分別獲得電子工業部科技成果一等獎4項(CX50、55、57、59),國務院國防工業重大技術改造成果二等獎(CX51),電子部科技成果二等獎(CX58),全國科技進步一等獎(低噪GaAs場效應電晶體系列)。
1986年至1987年,梁春廣在德國赫茲通信技術研究所(HHI)研製出“分子束外延超晶格場效應器件”,提出最佳材料和器件結構及非合金歐姆接觸法。
1988年至2003年間,梁春廣一直承擔領導砷化鎵超高速電路、電子電子器件、光電子器件及光電集成等多項國家重點科技項目,並榮獲國家科技進步獎。
1992年,梁春廣被評為國家有突出貢獻中青年專家。
1993年,梁春廣的“GaAs超高速電路和2英寸工藝技術”項目榮獲中國光華基金一等獎
1995年,梁春廣當選中國工程院院士。
1997年,梁春廣榮獲電子工業部電子傑出人才(榮譽)獎。
2001年,梁春廣榮獲“國家八六三計畫重要貢獻獎”。
1997年,梁春廣當選為中國共產黨第十五次全國代表大會代表出席黨的十五大,同年開始擔任碩士、博士生導師。
1999年,梁春廣榮獲全國歸僑、僑眷先進個人稱號。
2002年,梁春廣榮獲第九屆何梁何利基金獎及河北省院士特殊貢獻二等獎。

人物評價

“(梁春廣)在四十多年的科研生涯中,他無私奉獻,奮力拚搏,潛心鑽研,嚴謹治學,弘揚‘兩彈一星’精神,自覺踐行‘三個代表’重要思想,為我國半導體微電子、光電子事業的振興和發展,屢建功勳,碩果纍纍。”中國工程院)如果用三個詞來概括梁春廣的特點,那就是:認真、誠實、有責任心。做科研項目的時候,梁春廣可以一遍一遍地分析、測量數據,改進設計和工藝,直到達標。(梁春廣之女梁亞平評)

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