替位雜質(substitutional impurity)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:替位雜質
- 外文名:substitutional impurity
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年

替位雜質(substitutional impurity)是1993年公布的電子學名詞。
替位雜質(substitutional impurity)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
以半導體材料矽為例,雜質原子進入半導體矽後,只可能以兩種方式存在。一種方式是雜質原子位於晶格原子間的間隙位置,常稱為間隙式雜質;另一種方式是雜質原子去掉晶格原子而位於晶格格點處,常稱為替位式雜質。摻雜原理 以矽中摻雜磷(P)為例,一個磷原子占據了矽原子的位置,磷原子有5個價電子,其中4個價電子...
Ge和Si中的淺能級雜質 (a)施主雜質是Ⅴ族元素,都是替位式雜質;在Ge中的電離能為P[0.012eV]、As[0.013eV]、Sb[0.0096eV];在Si中的電離能為P[0.044eV]、As[0.049eV]、Sb[0.039eV]。(b)受主雜質是Ⅲ族元素,也都是替位式雜質;在Ge中的電離能為B[0.0104eV]、Al[0.0102eV]、Ga [0...
《半導體物理學(第7版)》是2011年電子工業出版社出版的圖書,作者是劉恩科。內容簡介 《半導體物理學(第7版)》較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章,主要內容為:半導體的晶格結構和電子狀態;雜質和缺陷能級;載流子的統計分布;載流子的散射及電導問題;非平衡載流子的產生、複合及其運動規律;pn結;金屬...
2.10 半導體中的雜質和雜質能級 (43)2.10.1 替位式雜質和間隙式雜質 (43)2.10.2 施主雜質和施主能級 N型半導體 (44)2.10.3 受主雜質和受主能級 P型半導體 (44)2.10.4 III-V族化合物中的雜質能級 (45)2.10.5 等電子雜質 等電子陷阱 (46)2.11 類氫模型 (47)2.12 深能級 (48...
W1-3半導體中雜質和缺陷能級 掌握施主和受主雜質的定義,熟悉雜質補償的原理。課時 3.1 矽_鍺晶體中的雜質能級 3.1.1 替位式雜質和間隙式雜質 3.1.2 施主雜質_施主能級_受主雜質_受主能級 3.1.3 雜質淺能級電離能的簡單計算 3.1.4 雜質的補償作用 3.1.5 深能級雜質 3.2 III-V族化合物中的雜質...
由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等,故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供,空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多,多子(自由電子)的濃度就越高,導電性能就越強。形成原理 摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。對於鍺、矽類半導體材料,摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等),當雜質原子以替位方式...
3.1間隙式雜質和替位式雜質 3.2施主和受主 3.3雜質補償 3.4深能級雜質 習題 第4章半導體中的平衡載流子 4.1加權求和和加權平均 4.2理想氣體分子按速率的分布 4.3導帶電子濃度與價帶空穴濃度 4.4本徵載流子濃度與本徵費米能級 4.5雜質半導體的載流子濃度 習題 第5章半導體中載流子的輸運現象 5.1半導體中...
7.2 淺雜質 492 7.2.1 引言 492 7.2.2 淺施主雜質 495 7.2.3 淺受主雜質缺陷 499 7.3 深能級 507 7.3.1 HgCdTe的深能級瞬態譜 507 7.3.2 HgCdTe的深能級導納譜 516 7.4 共振缺陷態 521 7.4.1 共振缺陷態的電容譜測量方法 522 7.4.2 理論模型 525 7.4.3 陽離子替位雜質引起的共振態...
組成缺陷是一種雜質缺陷,在原晶體結構中進入了雜質原子,它與固有原子性質不同,破壞了原子排列的周期性,雜質原子在晶體中占據兩種位置填隙位和格點位。雜質原子主要分為置換(替代)雜質原子和間隙雜質原子兩種,雜質缺陷的濃度與溫度無關,主要取決於溶解度和摻雜量,屬於非本徵缺陷。一般雜質原子的含量都小於1%,但...
